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一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。A.信源；室分天线B.室分天线；信源C.二功分器；室分天线D.6dB耦合器；室分天线
题目
一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。
A.信源；室分天线
B.室分天线；信源
C.二功分器；室分天线
D.6dB耦合器；室分天线
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第1题：
根据《QB－J－003－2012室分分布系统设计规范》在进行室分系统设计时,应核算本站点信源的总功率,以在适当位置选用相应品质等级的室分器件,并在图纸上标注清楚。一般情况下,“单系统总功率()及以上型器件”应用于靠近信源的位置,“单系统总功率()及以下型器件”应用于靠近室分天线的位置。考虑到后续扩容需求,信源功率的取值可采用简化模型并保留一定的余量。A.12dBm
B.24dBm
C.36dBm
D.48dBm
参考答案：C
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第2题：
集中式逆变器系统总功率大，一般是兆瓦级以上。因而系统所需数量少，便于管理；逆变器元器件少，稳定性好，便于维护；（）
100-2000kw -
第3题：
4、关于功率MOSFET，下面（)正确。
A．功率MOSFET为双极型器件；
B．功率MOSFET为单极型器件；
C．功率MOSFET的优势在于存在电导调制效应；
D．功率MOSFET为电流控制型器件。
ACD -
第4题：
不同功率等级(单系统总功率36dBm以上及以下型)的无源器件在哪些指标上存在差异?A.插损
B.反射互调
C.驻波比
D.功率容量
参考答案：B,D
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第5题：
逆向掺杂、环绕掺杂、轻掺杂漏技术主要应用于功率器件。
减小源漏间的穿通和沟道漏电，提高源漏击穿电压。