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常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

题目
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

相似考题

1.型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。A、0.2 VB、0.7 VC、1 V

2.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

3.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

4.二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

更多“常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 ”相关问题

  • 第1题：

    型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

    • A、1V
    • B、0.2V
    • C、0.6V

    正确答案:C

  • 第2题：

    二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。

    • A、0.1～0.3V
    • B、0.4～0.5V
    • C、0.6～0.8V
    • D、0.9～1.0V

    正确答案:C

  • 第4题：

    二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。


    正确答案:正向导通；反向截止；0.7

  • 第5题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第6题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第7题：

    在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V

  • 第8题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第9题：

    普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。


    正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

  • 第10题：

    常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。

    • A、0.3V；
    • B、0.7V；
    • C、1V

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。
    A

    0.1

    B

    0.3

    C

    0.5

    D

    0.7


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第14题：

    常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。

    • A、0.1
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第15题：

    二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）


    正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

  • 第16题：

    硅二极管的正向导通压降约为（）

    • A、0.7V
    • B、0.5V
    • C、0.3V
    • D、0.2V

    正确答案:A

  • 第17题：

    硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。


    正确答案:0.7；0.2

  • 第18题：

    在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。


    正确答案:0.7；0.3

  • 第19题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第20题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第21题：

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

  • 第22题：

    单选题
    型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。
    A

    1V

    B

    0.2V

    C

    0.6V


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

    正确答案： 若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
    解析： 暂无解析

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