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锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。

题目
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。

相似考题

1.从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?

2.晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

3.ZCZ系列晶体二极管是用硅材料做的,主要用于整流。()此题为判断题(对，错)。

4.晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

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  • 第1题：

    晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。


    正确答案：

     

  • 第2题：

    当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）

    A．小阻值电阻

    B．阻值很大的电阻

    C．内部短路

    D．内部断路


    截止

  • 第3题：

    13、硅二极管的正向导通压降比锗二极管大。


    小

  • 第4题：

    10、常用硅材料做半导体器件是因为（）。

    A．硅的原子序数比锗小

    B．硅的导电性能比锗好

    C．硅的导电性能受温度影响比锗小

    D．硅二极管的导通电压比锗大


    硅的导电性能受温度影响比锗小

  • 第5题：

    当锗晶体二极管加上0.3V正向电压时，该管的状态为

    A．导通

    B．截止

    C．放大

    D．饱和


    A、 导通

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