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DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个

题目

DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是

A．29个

B．(29+29)个

C．(29×29)个

D．(9×9)个

相似考题

1.动态RAM的刷新是以()为单位进行的。A.存储矩阵 B.行 C.列 D.存储单元

2.4、某存储器地址线总共10根，采用重合法译码驱动方式，设X地址译码器上接入3根地址线，Y地址译码器上接入7根地址线，则此存储器内部构成一个________存储单元矩阵。A．9×49B．21×21C．8×128D．49×49

3.DRAM的刷新是以（）为单位的A．存储单元B．行C．列D．存储字

4.1、DRAM刷新是以（）为单位的A．存储单元B．行C．列D．存储字

参考答案和解析
正确答案：C
更多“DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个 ”相关问题

  • 第1题：

    42、有10条地址线的半导体存储器芯片，若采用字译码方式，则有（）条存储单元选择线控制线；若采用矩阵译码，则有（）条存储单元选择线控制线。


    A

  • 第2题：

    18、DRAM比SRAM慢，可能的原因包括

    A．DRAM需要刷新

    B．DRAM存储体行列地址线复用

    C．DRAM读之前需要预充电

    D．DRAM存储单元采用了双译码结构


    DRAM 需要刷新;DRAM 需要刷新;DRAM 存储体行列地址线复用;DRAM 存储单元采用了双译码结构

  • 第3题：

    5、一个矩阵从a[O][0]开始存放，每个元素占用4个存储单元，若a[7][8]的存储地址为2732，a[13][16]的存储地址为3364，则此矩阵的存储方式是

    A．只能按行优先存储

    B．只能按列优先存储

    C．按行优先存储或按列优先存储均可

    D．以上都不对


    按行优先存储或按列优先存储均可

  • 第4题：

    12、DRAM的刷新方式，是以____为单位进行的。

    A．行

    B．列

    C．行或者列

    D．存储单元


    行

  • 第5题：

    以下关于访存指令（装入指令和存储指令）执行过程的叙述中，错误的是（）。

    A．DRAM芯片中的列译码器会对列地址译码，从被选中行中指定的列将数据读出或写入

    B．访存开始时CPU总是先将主存地址送给存储控制器

    C．由存储控制器将主存地址分成行地址和列地址，并分时传给DRAM芯片

    D．DRAM芯片中的行译码器会对行地址译码，被选中行的信息会被送到内部行缓冲中


    B

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