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存储器的技术指标包括______、存取时间和存取周期、可靠性、功耗。
题目
存储器的技术指标包括______、存取时间和存取周期、可靠性、功耗。
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第1题：
16、下列关于主存存取速度说法错误的是
A．存取周期（Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
B．存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
C．存取时间分读出时间和写入时间两种
D．通常存取周期大于存取时间
A解析：A：存取周期（ Memory Cycle Time) 是连续启动两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间。A错误 存取时间：RAM（存储器）完成一次数据存取所用的平均时间，故又叫存储器的访问时间。 读出时间与写入时间统称存取时间。又称存储器访问时间。B，C正确D：存取周期的定义是连续两次独立的存储器操作（读或写）所需的最小间隔时间，应该是第一次存取时间+第二次启动存储器操作的间隔时间 的时间，所以必然大于存取时间。D正确 -
第2题：
存储器系统的主要性能指标包括存取介质、存储容量、存取速度（存取时间）、功耗、可靠性、性价比等。
成本、容量、速度。 -
第3题：
半导体存储器的主要技术指标有，存储容量和存取时间。
存储容量、访问周期、易失性、功耗。 -
第4题：
30、以下技术指标中，一般与存储器性能不相关的是___
A．PCI总线带宽
B．存取时间
C．存取周期
D．存储器带宽
PCI 总线带宽 -
第5题：
主存储器的存储周期和存取时间相同。
B 存取时间(Ta)指从存储器读出或者写入一次信息所需要的平均时间；存取周期(Tc)指连续两次访问存储器之间所必需的最短时间间隔。对Tc一般有：Tc=Ta+Tr，其中Tr为复原时间；对SRAM指存取信息的稳定事件，对DRAM指刷新的又一次存取时间。