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更多“上釉的烧结温度是A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度10℃C.低于体瓷温度20℃D.高于体瓷温度5℃E.高于体 ”相关问题
  • 第1题:

    金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:E

  • 第2题:

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6~8℃

    C、低于体瓷烧结温度10~20℃

    D、高于体瓷烧结温度6~8℃

    E、高于体瓷烧结温度10~20℃


    参考答案:B

  • 第3题:

    除气、氧化的方法是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:D

  • 第4题:

    除气、氧化的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:D

  • 第5题:

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是

    A.31~40℃

    B.21~30℃

    C.10℃以内

    D.11~20℃

    E.5℃


    正确答案:C