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PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃

题目

PFM冠上釉时的炉温是

A、与体瓷的烧结温度相同

B、低于体瓷烧结温度6～8℃

C、低于体瓷烧结温度10～20℃

D、高于体瓷烧结温度6～8℃

E、高于体瓷烧结温度10～20℃

相似考题

1.上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

2.若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃

3.用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

4.若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

参考答案和解析
参考答案：B
更多“PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、 ”相关问题

  • 第1题：

    自身釉烧结的温度是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：B

  • 第2题：

    除气、氧化的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：D

  • 第3题：

    除气、氧化的方法是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：D

  • 第4题：

    金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：E

  • 第5题：

    上釉的烧结温度是

    A．低于体瓷温度5℃

    B．低于体瓷温度10℃

    C．低于体瓷温度20℃

    D．高于体瓷温度5℃

    E．高于体瓷温度10℃


    正确答案：B
    B

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