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进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
题目
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。
A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些
B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些
C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些
D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
A．
B．
C．
D．
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第1题：
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是（ ）。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些
B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些
C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些
D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作答案：A解析：NAND Flash的读取速度比NOR Flash稍慢一些，其随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。 -
第2题：
14、NOR型Flash可以实现随机存储。
错误 -
第3题：
NOR 型Flash不但可以存储程序，还可以运行程序。
正确 -
第4题：
12、NOR 型Flash不但可以存储程序，还可以运行程序。
NAND -
第5题：
4、NOR型Flash与NAND型Flash的特点、应用有何差异。
1、存储架构不同 NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。 与NOR闪存相比,NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口,这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是,NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的,这与直接从NOR Flash执行代码不同。 2、存储容量不同 与NOR闪存相比,NAND闪存的密度要高得多,主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度,因此主要用于数据存储应用。 3、擦除/读写不同 NAND闪存中的擦除操作非常简单,而在NOR闪存中,每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如,NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块,而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。 4、能耗不同 NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是,NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此,有效功率由存储器活动的持续时间决定。 NOR Flash在随机读取方面具有优势,而NAND Flash在擦除,写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。