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需要一个16MB×8位的存储器，现有存储芯片为1MB×8位。则需要(1)个存储器芯片。存储器芯片的地址长度需要(2)位，主存储器的地址长度需要(3)位。A．16B．8C．32D．24
题目
需要一个16MB×8位的存储器，现有存储芯片为1MB×8位。则需要(1)个存储器芯片。存储器芯片的地址长度需要(2)位，主存储器的地址长度需要(3)位。
A．16
B．8
C．32
D．24
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第1题：
1、一个存储器，其地址为14位，每个存储单元长度为8位，若用1K×4位SRAM芯片来组成该存储器，则需要_______片芯片，选择芯片时需要_______位地址。
A．16、10
B．32、14
C．16、14
D．32、10
存储器容量为：214×8=16K×8位。需要128片1K×1位RAM芯片组成。A9~ A0作为芯片本身的地址线；A13~ A10作为片选地址，采用4~16译码器，16个输出分别作为16组芯片的片选信号。 -
第2题：
设有一个具有14位地址和8位数据的存储器，问： （1）该存储器能存储多少字节的信息？ （2）如果存储器由8k×4位RAM芯片组成，需要多少片？ （3）最少需要多少地址位做芯片选择？
C -
第3题：
用一个256K x 16位的存储芯片组成一个8M x 32位的存储器，存储器按字编址，试回答以下问题： 1）该存储器的数据线数和地址线数分别为多少？ 2）共需要几片这样的存储芯片？ 3）说明每根地址线的作用。
解：(1) 用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器，需要用16个芯片，其中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0∼D7、D8∼D15、D16∼D23和D24∼D31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A0∼A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A0∼A6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A14、A15通过2：4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。(2) 设刷新周期为2ms，并设16K×8位的DRAM结构是128×128×8存储阵列，则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行，共128行)：若采用集中式刷新，则每2ms中的最后128×0.5μs=64μs为集中刷新时间，不能进行正常读写，即存在64μs的死时间；若采用分散式刷新，则每1μs只能访问一次主存，而题目要求CPU在1μS内至少要访问一次，也就是说访问主存的时间间隔越短越好，故此方法也不是最适合的。比较适合采用异步式刷新。采用异步刷新方式，则两次刷新操作的最大时间间隔为15.625μs，可取15.5μs；对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为：15.5μs×128=1.984ms；采用这种方式，每15.5μs中有0.5μs用于刷新，其余的时间用于访存(大部分时间中1μs可以访问两次内存)。 -
第4题：
一个存储器，其地址为14位，每个存储单元长度为8位，若用1K×4位SRAM芯片来组成该存储器，则需要_______片芯片，选择芯片时需要_______位地址。
A．16、10
B．32、14
C．16、14
D．10
32,14 -
第5题：
1、有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1） 该存储器能存储多少个字节的信息？ （2） 如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少芯片？ （3） 需要多少位地址作芯片选择？
解: (1) 该存储器能存储: 4MB (2) 需要 8 ( 3 )用 512K*8 位的芯片构成字长为 32 位的存储器,则需要每 4 片为一组进行字 长的位数扩展,然后再由 2 组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。