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关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。A．CE端为低电平B．R/W'端为高电平C．地址出现在address线上D．数据出现在data线上

题目

关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。

A．CE端为低电平

B．R/W'端为高电平

C．地址出现在address线上

D．数据出现在data线上

相似考题

1.80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在FO写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电平C．W/R=H高电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平D．W/R=L低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平

2.关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是（ ）。A.CE端为低电平 B.R/W'端为高电平 C.地址出现在address线上 D.数据出现在data线上

3.有三个输入端的或非门电路，要求输出高电平，其输入端应是（）。A．至少一端为高电平B．全部为低电平C．全部为高电平D．至少一端为低电平

4.80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在I/O写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=H低电子，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电子C．W/R=H高电平，D/C=H低电平，M/IO=L高电平D．W/R=H低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平

参考答案和解析
正确答案：B
解析：SRAM的写操作周期是：①CE＝0，启用该芯片，②R/W'＝0，③地址出现在address线上，数据出现在data线上。
更多“关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。A.CE端为低电平B.R／W'端为高电平C.地址出现在addres ”相关问题

  • 第1题：

    与非门输出为低电平时，需满足（）

    A．只要有一个输入端为低电平

    B．只要有一个输入端为高电平

    C．所有输入端都是低电平

    D．所有输入端都是高电平


    D

  • 第2题：

    6、与非门的输入端加有低电平时，其输出端恒为高电平。


    错误

  • 第3题：

    有三个输入端的或门电路，要求输出端为高电平，则其输入端（）。

    A．三个端均为高电平；

    B．至少一端为低电平；

    C．三个端均为低电平；

    D．至少一端为高电平。


    C

  • 第4题：

    10、芯片LCM1602的引脚E（或EN）端为使能（enable）端，由高电平变为低电平时读写操作有效。


    16个

  • 第5题：

    与非门的输入端加有低电平时，其输出端恒为高电平。


    正确

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