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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

题目

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

A、栅源电流

B、栅源电压

C、漏源电流

D、漏源电压

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

3.28、场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。

4.功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

参考答案和解析
参考答案：B
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  • 第1题：

    场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。


    D

  • 第2题：

    31、MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。


    当栅源电压VGS等于开启电压VT时，器件开始导通，当源漏间加电压VDS且VGS=VT时，由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直分量的作用，沿着沟道就出现了导电。源漏电压（VDS>0）所产生的电场水平分量起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源漏电压的增大，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。

  • 第3题：

    1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。

    A．栅漏，漏极，电流控制电流

    B．栅源，漏极，电压控制电流

    C．漏源，漏极，电流控制电压

    D．栅源，栅极，电流控制电压


    ×

  • 第4题：

    1、场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 。

    A．栅源电压

    B．漏源电压

    C．栅源电流

    D．漏源电流


    栅源电压

  • 第5题：

    1、跨导gm反映了场效应管（）对漏极电流 控制能力。

    A．栅源电压

    B．栅漏电压

    C．漏源电压

    D．源漏电压


    栅源电压

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