产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错

第1题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

A对

B错

第2题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

第3题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。

第4题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

第5题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

第6题：

采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

第7题：

第8题：

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

A对

B错

第14题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

第15题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。

• A、额定整流电流
• B、额定负荷电流
• C、额定开断电流

第16题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。

第17题：

电压比校核试验变压器的高压输出端应串接保护电阻器，可采用（）。

• A、金属膜电阻器
• B、水电阻器
• C、线绕电阻器
• D、碳膜电阻器

第18题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。

• A、升压试验变压器T
• B、降压变压器
• C、滤波电容C
• D、保护电阻R

第19题：

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：