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98、98－1型整流电压50±2V、充电电压此题为判断题(对，错)。

题目
98、98－1型整流电压50±2V、充电电压<55±1V。()

此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    96型整流电压50±2V、充电电压<60V。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第2题：

    25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。


    正值

  • 第3题：

    26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。


    错误

  • 第4题：

    增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在 。

    A．非饱和区

    B．截止区

    C．饱和区

    D．线性区


    只能为负

  • 第5题：

    测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

    A．预夹断临界点

    B．饱和区（恒流区、放大工作区）

    C．可变电阻区

    D．截止区


    饱和

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