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在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

题目
在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。

A.电子电流,空穴电流

B. 空穴电流,电子电流

C. 电子电流,电子电流

D. 空穴电流,空穴电流


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  • 第1题:

    在下列说法中只有()说法是正确的。

    A.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得

    B.在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体

    C.P型半导体带正电,N型半导体带负电

    D.PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的


    所有型号的AP均支持2.4G及5.8G模式;AP在1X1 11n的HT20模式下理论带宽为300Mbps;AP仅支持通过POE供电;AP只能通过AC控制来进行软件版本升级

  • 第2题:

    判断下列说法是否正确:(正确√,错误 ×) 1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 () 2、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 () 3、在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。 ()


    错误

  • 第3题:

    当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的()。


    正确

  • 第4题:

    2、关于杂质半导体,下列描述正确的是()

    A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

    B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

    C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;

    D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。


    在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得 N 型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

  • 第5题:

    6、非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

    A.n, 受主

    B.n, 施主

    C.p, 受主

    D.p, 施主