A、电流
B、电压
C、电压电荷
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
5、关于IGBT,下面()不正确。
A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;
B.IGBT存在电导调制效应;
C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;
D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
第3题:
通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用IGBT模块。
第4题:
2、IGBT是电流驱动型器件?
第5题:
16、关于IGBT,下面()正确。
A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;
B.IGBT存在电导调制效应;
C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;
D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件