A、发射结正偏,集电结正偏
B、发射结反偏,集电结正偏
C、发射结正偏,集电结反偏
D、发射结反偏,集电结反偏
第1题:
第2题:
三极管放大区的放大条件为()。
第3题:
三极管工作在截止模式时要求()
第4题:
三极管工作在放大状态时,发射结和集电结的偏置应为()。
第5题:
三极管工作在放大状态的条件()。
第6题:
NPN型三极管在共射极电路中,如果三极管工作在放大区,则应是()。
第7题:
对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是()
第8题:
三极管工作于放大状态的条件是()
第9题:
晶体三极管工作在饱和区时,要求()
第10题:
三极管工作在放大状态时,其偏置应为()
第11题:
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。
第12题:
发射结正偏,集电结反偏
发射结正偏,集电结正偏
发射结反偏,集电结正偏
发射结反偏,集电结反偏
第13题:
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()
第14题:
晶体三极管工作在放大区的条件是()。
第15题:
半导体三极管的放大条件是()。
第16题:
三极管截至工作状态的外部条件是().
第17题:
晶体三极管放大区的特点是()。
第18题:
处于截止状态的三极管,其工作状态为()。
第19题:
工作在放大区的NPN型三极管,其偏置条件是()
第20题:
三极管工作在饱和区,要求()
第21题:
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于()
第22题:
晶体三极管工作于饱和状态时,则()。
第23题:
发射结正偏、集电结反偏
发射结正偏、集电结正偏
发射结反偏、集电结正偏
发射结反偏、集电结反偏