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温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好

题目

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好

相似考题

1.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小D、不确定

2.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()此题为判断题(对，错)。

3.硅二极管的反向电流比锗二极管大。

4.一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
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  • 第1题：

    硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？


    正确答案:反向电流达到饱和，不随外加电压（反向电压）变化。这是因为反向饱和电流是由少数载流子漂移运动形成，少于的数量很小，稍加反向电压便全部漂移过去。当温度升高时，本征激发增加，少子增多，反向饱和电流也增大。

  • 第3题：

    锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

  • 第5题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第6题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第7题：

    在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）


    正确答案:小

  • 第8题：

    硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。


    正确答案:小；好

  • 第9题：

    当温度升高时，晶体二极管的反向饱和电流将（）。

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第10题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

  • 第11题：

    判断题
    二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）
    A

    10μA

    B

    15μA

    C

    20μA

    D

    40μA


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第14题：

    当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。

    • A、减小
    • B、不变
    • C、增加
    • D、取决于外加电压值

    正确答案:C

  • 第15题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第16题：

    二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）

    • A、10μA
    • B、15μA
    • C、20μA
    • D、40μA

    正确答案:C

  • 第18题：

    当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

    • A、增大
    • B、不变
    • C、减小

    正确答案:A

  • 第19题：

    为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关，而当环境温度升高时又显著增大？


    正确答案:二极管的反向饱和电流是由半导体材料中少数载流子的浓度决定的，当反向电压超过零点几伏后，少数载流子全部参与了导电，此时增大反向电压，二极管电流基本不变；而当温度升高时，本征激发产生的少数载流子浓度会显著增大，二极管的反向饱和电流随之增大。

  • 第20题：

    当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、等于零

    正确答案:A

  • 第21题：

    硅二极管反向导通电流一般（）。

    • A、为0
    • B、比锗管小
    • C、比锗管大
    • D、比砷化镓二极管小

    正确答案:B

  • 第22题：

    问答题
    为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？

    正确答案： 反向电流达到饱和，不随外加电压（反向电压）变化。这是因为反向饱和电流是由少数载流子漂移运动形成，少于的数量很小，稍加反向电压便全部漂移过去。当温度升高时，本征激发增加，少子增多，反向饱和电流也增大。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

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