题3-3-11 集成电路版图设计中不是MOS管的可变参数是: 。
A.栅长(gate_length)
B.氧化层厚度
C.栅宽(gate_width)
D.D 栅指数(gates)
第1题:
在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。
第2题:
开关MOS管选型需要注意哪些参数?
第3题:
下列电路属于单极型器件集成的应是().
第4题:
第5题:
第6题:
a
k
i
shift k
第7题:
第8题:
第9题:
第10题:
第11题:
第12题:
第13题:
单极型集成电路不包含().
第14题:
固体半导体摄像元件CCD是一种()
第15题:
第16题:
第17题:
第18题:
第19题:
高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
第20题:
第21题:
第22题:
第23题:
第24题:
a
c
i
k