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pn结击穿指（）。A．反向电压随反向电流增加迅速增加的现象B．正向电流随反向电压增加迅速增加的现象C．正向电压随正向电流增加迅速增加的现象D．反向电流密度随反向电压增加突然开始迅速增加的现象

题目

pn结击穿指（）。

A．反向电压随反向电流增加迅速增加的现象

B．正向电流随反向电压增加迅速增加的现象

C．正向电压随正向电流增加迅速增加的现象

D．反向电流密度随反向电压增加突然开始迅速增加的现象

相似考题

1.用万用表R×100Ω的欧姆挡,测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻,若都呈现出最小的阻值,则这只晶体管()。A.两个PN结都被击穿B.两个PN结都被烧掉C.只是发射结被击穿D.只是基集被击穿

2.用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿

3.若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()

4.用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿

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  • 第1题：

    当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。

    A.击穿
    B.饱和
    C.截止
    D.导通

    答案：D
    解析：
    当在PN结上加正向电压时PN结应出狱导通状态。

  • 第2题：

    PN结一旦击穿，就必然损坏。

    A对

    B错


    错
    略

  • 第3题：

    硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

    • A、PN结的反向击穿特性
    • B、PN结的单向导电特性
    • C、PN结的正向导通特性
    • D、PN结的反向截止特性

    正确答案:B

  • 第4题：

    用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。

    • A、两个PN结均击穿
    • B、两个PN结均开路
    • C、发射结击穿，集电结正常
    • D、发射结正常，集电结击穿

    正确答案:A

  • 第5题：

    PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）


    正确答案:错误

  • 第7题：

    PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。

    • A、其反向电流增大
    • B、其反向电流减小
    • C、其反向电流基本不变

    正确答案:B

  • 第8题：

    构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    半导体稳压管的稳压作用是利用（）

    • A、PN结单向导电性实现的
    • B、PN结的反向击穿特性实现的
    • C、PN结的正向导通特性实现的
    • D、PN结的反向截止特性实现的

    正确答案:B

  • 第10题：

    用万用表R3100Ω的欧姆挡，测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。

    • A、两个PN结都被击穿
    • B、两个PN结都被烧掉
    • C、只是发射结被击穿
    • D、只是基集被击穿

    正确答案:A

  • 第11题：

    填空题
    PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

    正确答案： 小,小
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？

    正确答案： 当PN结加反向电压（P极接电源负极，N极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN结的反向击穿。击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。PN结的击穿并不意味着PN结坏了，只要能够控制流过PN结的电流在PN结的允许范围内，不会使PN结过热而烧坏，则PN结的性能是可以恢复正常的，稳压二极管正式利用了二极管的反向特性，才能保证输出电压的稳定。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。

    A.PN结的单向导电性
    B.PN结的反向击穿特性
    C.PN结的正向导通特性
    D.PN工艺特性

    答案：B
    解析：

  • 第14题：

    什么叫PN结的反向击穿？


    正确答案: 当PN结处于反向偏置时，若外加反向电增加到一定数值，流出PN结的电流激增，这种现象称为PN结的反向击穿。

  • 第15题：

    半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

    • A、PN结的单向导电性
    • B、PN结的反向击穿特性
    • C、PN结的正向导通特性
    • D、PN结的反向截止特性

    正确答案:B

  • 第16题：

    稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。

    • A、PN结的单向导电
    • B、PN结的反向击穿
    • C、PN结的正向导通
    • D、结电容使波形平滑

    正确答案:B

  • 第17题：

    二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    PN结的电击穿分为（）和（）两种类型。


    正确答案:雪崩击穿；齐纳击穿

  • 第20题：

    PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。


    正确答案:齐纳

  • 第21题：

    用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。

    • A、PN结被击穿
    • B、PN结开路
    • C、只有发射极击穿
    • D、只有集电极击穿

    正确答案:A

  • 第22题：

    问答题
    何谓PN结的击穿特性？

    正确答案： 对PN结施加的反向偏压增大到某一数值时，反向电流突然开始迅速增大，这种现象称为PN结击穿。发生击穿时的反向偏压称为击穿电压，以VB表示。击穿现象中，电流增大基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。到目前为止，基本上有三种击穿机构：热电击穿、雪崩击穿和隧道击穿。从击穿的后果来看，可以分为物理上可恢复的和不可恢复的击穿两类。热电击穿属于后一类情况，它将造成PN结的永久性损坏，在器件应用时应尽量避免发生此类击穿。雪崩击穿和隧道击穿属于可恢复性的，即撤掉电压后，在PN结内没有物理损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。

    正确答案： 雪崩击穿,齐纳击穿,热击穿
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。

    正确答案： 雪崩击穿
    解析： 暂无解析

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