在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。A．I型半导体B．杂质浓度C．杂质类型D．温度

第1题：

第2题：

第3题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

• A、温度
• B、掺杂工艺
• C、杂质浓度
• D、晶体缺陷

正确答案:A

第4题：

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

正确答案:五；自由电子；空穴；正

第5题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

• A、温度
• B、掺杂工艺
• C、杂质浓度
• D、晶体缺陷
• E、空穴
• F、自由电子

正确答案:A,C

第6题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系

正确答案:掺杂浓度；温度

第7题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

正确答案:掺杂浓度；温度

第8题：

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？

正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

第9题：

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。

正确答案:本征激发

第10题：

在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

• A、掺入杂质的浓度
• B、材料
• C、温度

正确答案:C

第11题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

• A、温度
• B、掺杂元素
• C、掺杂浓度
• D、掺杂工艺

正确答案:A

第12题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

• A、晶体缺陷
• B、温度
• C、杂质浓度
• D、掺杂工艺

正确答案:C

第13题：

第14题：

第15题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

正确答案:温度

第16题：

掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关

正确答案:杂质的含量；温度；本征激励；温度

第17题：

在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

正确答案:自由电子；空穴

第18题：

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

• A、温度
• B、掺杂工艺
• C、掺杂浓度
• D、晶格缺陷

正确答案:C

第19题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

正确答案:掺杂浓度；温度

第20题：

温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）

正确答案:增加；增加；基本不变

第21题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

• A、温度
• B、掺杂工艺
• C、杂质浓度
• D、晶体管缺陷

正确答案:A

第22题：

半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）

正确答案:自由电子；空穴；环境温度或光照强度；掺杂浓度

第23题：

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

• A、温度
• B、杂质浓度
• C、电子空穴对数目
• D、都不是

正确答案:B

第24题：