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SRAM和DRAM都具有断电即失的特点。

题目

SRAM和DRAM都具有断电即失的特点。

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1.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

3.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。A．存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM常用来做Cache用

4.● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。（9）A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存

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  • 第1题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

  • 第2题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第3题：

    DRAM与SRAM比较:()

    A、DRAM比SRAM速度快

    B、DRAM比SRAM价格低

    C、DRAM比SRAM较容易使用


    参考答案：B

  • 第4题：

    PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，正确的是( )。

    A．SRAM和DRAM都是RAM，芯片掉电后，存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失

    B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般也会丢失

    C．由于SRAM的速度比DRAM的慢，因此，在PC中，DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成

    D．ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器，因此，现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息


    正确答案：A

  • 第5题：

    SRAM和DRAM的区别?()

    A.SRAM比DRAM功耗高

    B.SRAM比DRAM成本高

    C.SRAM比DRAM速度快

    D.SRAM比DRAM散热大


    参考答案：ABCD

  • 第6题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案：B
    解析：
    DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第7题：

    以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）

    • A、DRAM具有双稳态特性
    • B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    • C、DRAM主要用于主存，帧缓冲区
    • D、SRAM对干扰非常敏感

    正确答案:C

  • 第8题：

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。（）

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第9题：

    下面关于随机存取存储器（RAM）的叙述中，正确的是（）。

    • A、存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复
    • B、SRAM的集成度比DRAM高
    • C、DRAM的存取速度比SRAM快
    • D、DRAM常用来做Cache用

    正确答案:A

  • 第10题：

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第11题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第12题：

    SRAM和DRAM的区别？（）

    • A、SRAM比DRAM功耗高
    • B、SRAM比DRAM成本高
    • C、SRAM比DRAM速度快
    • D、SRAM比DRAM散热大

    正确答案:A,B,C,D

  • 第13题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

  • 第14题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第15题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第16题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第17题：

    以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。

    A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案：D

  • 第18题：

    SRAM和DRAM各有何特点，内存条使用哪种芯片？


    正确答案: SRAM使用双稳态触发器存储信息，故集成度较低、功耗较大，但速度较快；DRAM使用电容存储信息，故集成度较高、功耗较小，但由于破坏性读，且行列地址分两次发送，故存储速度较慢；内存条使用DRAM芯片。

  • 第19题：

    简述SRAM和DRAM的各自特点。


    正确答案: DRAM的基本存储电路采用4管型、3管型和单管型，单管型因集成度高而被广泛使用。DRAM的信息以电荷形式存于MOS管的极间电容上，由于电容泄漏电流的存在，电荷流失因而导致信息消失，为此必须每隔一定时间（2-8MS）以内进行刷新，DRAM的基本存储单元简单，故集成度高功耗小。但RAM的周期性刷新工作需要外部电路的支持。
    DRAM一般用于组成大容量、高速的RAM存储器，S.RAM基本存储单元由6只MOS管组成。这种存储电路的读出是非破坏性的，数据读出后原单元信息仍保持不变。不需另加刷新，简化了外部电路。由于SRAM基本存储电路所含管子数目多因而集成度略低，多选用在小系统计算机中。

  • 第20题：

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对（）

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第21题：

    以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）

    • A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    • B、SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
    • C、SRAM主要用于高速缓存
    • D、SRAM具有双稳态特性

    正确答案:B

  • 第22题：

    说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。 


    正确答案: S.RAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。
    D.RAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。
    M.ROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。
    P.ROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。
    E.PROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。

  • 第23题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第24题：

    问答题
    说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

    正确答案： S.RAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。
    D.RAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。
    M.ROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。
    P.ROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。
    E.PROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。
    解析： 暂无解析

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