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更多“8、擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。”相关问题
  • 第1题:

    产生擎住效应的主要原因是什么?


    参考答案:IGBT产生动态擎住现象的主要原因是器件在高速关断时,电流下降太快,集射电压UcE突然上升,duce/dt很大,在J2结引起较大的位移电流,当该电流流过Rs时,可产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压,造成寄生晶闸管自锁。

  • 第2题:

    由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。

    A、擎住效应

    B、二次击穿

    C、雪崩击穿

    D、电导调制效应


    参考答案:D

  • 第3题:

    从整流方式看,THESWITCH变流系统的整流方式为()

    • A、二极管整流
    • B、IGBT可控整流
    • C、GTO可控整流
    • D、二极管和晶闸管的混合整流

    正确答案:B

  • 第4题:

    每个IGBT换流阀都带有一个?()

    • A、正并联晶闸管
    • B、反并联晶闸管
    • C、正并联二极管
    • D、反并联二极管

    正确答案:D

  • 第5题:

    由通态到断态,能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    电气元件中储能元件有()

    • A、电阻
    • B、IGBT;
    • C、电容;
    • D、二极管

    正确答案:C

  • 第7题:

    何为擎住效应?危害是什么?如何避免?


    正确答案:由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管,当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通,使PNP管也饱和导通,结果IGBT的栅极失去控制作用,这就是擎住效应。
    IGBT发生擎住效应后漏极电流增大,造成过高的功耗,最后导致器件损坏。
    避免措施:
    1.不使漏极电流超过临界值;
    2.加大栅极电阻,延长IGBT的关断时间。

  • 第8题:

    ()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。


    正确答案:GTR;IGBT

  • 第9题:

    什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?


    正确答案:IGBT由于寄生晶闸管的影响,可能是集电极电流过大(静态擎住效应),也可能是duce/dt过大(动态擎住效应),会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流,或增加控制极上所接电阻RG的数值,减小关断时的duce/dt,以避免出现擎住现象。

  • 第10题:

    晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。


    正确答案:错误

  • 第11题:

    问答题
    什么是维持电流?什么是擎住电流?

    正确答案: 维持电流是使晶闸管维持通态,所必需的最小主电流。
    擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态,并移除了触发信号后,能维持通态所必需的最小主电流。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    单效蒸发操作中,二次蒸发温度低于生成蒸汽温度,这是由于()和溶液沸点升高造成的。

    正确答案: 传热推动力
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    为使导通的晶闸管可靠关断,应采取措施让阳极电流IA小于晶闸管的()。

    A、擎住电流

    B、维持电流

    C、额定电流

    D、平均电流


    参考答案:B

  • 第14题:

    四号线整流装置采用的功率器件为()。

    A.二极管

    B.晶闸管

    C.可控硅

    D.IGBT


    参考答案:D

  • 第15题:

    IGBT换流阀的反并联二极管的作用是?()

    • A、续流
    • B、抑制过电压
    • C、抑制过电流
    • D、强迫换相

    正确答案:A

  • 第16题:

    能保持晶闸管导通的最小电流称为()。

    • A、擎住电流
    • B、维持电流
    • C、浪涌电流
    • D、共基极电流

    正确答案:B

  • 第17题:

    当阳极电流减小到()以下时,晶闸管才能恢复阻断状态。

    • A、正向漏电流
    • B、通态平均电流
    • C、擎住电流
    • D、维持电流

    正确答案:D

  • 第18题:

    “虫牙”是由于()

    • A、寄生虫造成的
    • B、细菌或食物长期作用于牙齿表面造成
    • C、牙齿老化造成的

    正确答案:B

  • 第19题:

    对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL的关系是()。

    • A、IH≈(2~4)IL
    • B、IL≈(2~4)IH
    • C、IH=IL
    • D、IH≥I

    正确答案:B

  • 第20题:

    晶闸管稳定导通的条件()。

    • A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
    • B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
    • C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
    • D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

    正确答案:A

  • 第21题:

    绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和()的优点集于一身。

    • A、GTO
    • B、GTR
    • C、二极管
    • D、GBT

    正确答案:B

  • 第22题:

    填空题
    ()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。

    正确答案: GTR,IGBT
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    晶闸管稳定导通的条件()。
    A

    晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

    B

    晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

    C

    晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

    D

    晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?

    正确答案: IGBT由于寄生晶闸管的影响,可能是集电极电流过大(静态擎住效应),也可能是duce/dt过大(动态擎住效应),会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流,或增加控制极上所接电阻RG的数值,减小关断时的duce/dt,以避免出现擎住现象。
    解析: 暂无解析