温度越高时,本征半导体内部的本征激发产生的载流子 。
第1题:
下列物质中载流子最多的是()。
A.本征半导体
B.掺杂半导体
C.导体
D.绝缘体
第2题:
第3题:
一般情况下,本征半导体导电是依靠本征激发作用的。
第4题:
P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。
第5题:
本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。
第6题:
半导体中有()和()两种载流子,在本征半导体中掺着()阶元素,可形成P型半导体。
第7题:
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?
第8题:
在绝对零度(0K)时,本征半导体中()载流子。
第9题:
本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
第10题:
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()
第11题:
第12题:
本征型和激子型
本征型和晶格型
本征型和杂质型
本征型和自由载流子型
第13题:
此题为判断题(对,错)。
第14题:
本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
第15题:
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。
第16题:
本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。
第17题:
在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
第18题:
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().
第19题:
温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()
第20题:
半导体中有()和()两种载流子。本征半导体的导电能力取决于(),杂质半导体的导电能力主要取决于()
第21题:
下列物质中载流子最多的是()。
第22题:
第23题:
对
错
第24题:
对
错