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关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末梢去极化C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.Ca2+由膜外进人突触前膜内E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

题目

关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()

A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

B.突触前轴突末梢去极化

C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D.Ca2+由膜外进人突触前膜内

E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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1.关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高D.突触前轴突末梢去极化E.Ca2由膜外进入突触前膜内

2.关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

3.对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后膜出现超极化D．突触后膜去极化E．突触前膜去极化

4.关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大

更多“关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A.突触后膜对Cl－或K＋的通透性升高B.突触前轴突末 ”相关问题

  • 第1题：

    兴奋性突触后电位的形成是因为( )。

    A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化

    B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化

    C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化

    D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化

    E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化


    正确答案：A
    突触后膜在兴奋性递质作用下发生去极化，使该突触后神经元的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位，形成原因是突触后膜在化学递质作用下，引起细胞膜对Na+、K+等离子的通透性增加，由于Na+内流大于K+的外流，所以主要是Na+内流，故出现细胞膜局部去极化电位。因此，答案选A。

  • 第2题：

    关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的

    A.突触前末梢去极化
    B.Ca由膜外进入突触前膜内
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：
    抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位，对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用，使该神经元不容易产生动作电位。

  • 第3题：

    关于兴奋性突触后电位产生的叙述，哪一项是错误的？

    A．突触前轴突末梢去极化

    B．突触后膜对Na+、K+，特别是对K+的通透性升高

    C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D．Ca2+由膜外进入突触前膜内


    可发生时间总和;突触后膜对Na+通透性较高;可发生空间的总和

  • 第4题：

    产生兴奋性突触后电位过程中

    A．突触前轴突末梢除极化

    B．Ca2+由突触前膜外进入膜内

    C．突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合

    D．突触后膜对Na+、K+、Ca2+特别是K+通透性升高


    正确答案：ABC
    解析：[考点]突触后电位；[解析]突触后膜主要是对Na+、K+，特别是Na+通透性高。

  • 第5题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种（些)离子通透性变化所致

    A．Na+或K+通透性升高

    B．Ca2+或K+通透性升高

    C．Ca2+或Cl-通透性升高

    D．K+或Cl-通透性升高


    Cl-内流

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