热平衡状态下半导体的载流子数不发生变化。()
第1题:
N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
第2题:
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。
第3题:
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。
第4题:
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。
第5题:
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().
第6题:
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?
第7题:
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
第8题:
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。
第9题:
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()
第10题:
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
第11题:
第12题:
第13题:
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
第14题:
P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。
第15题:
N型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电;P型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电。
第16题:
热敏电阻正是利用半导体的载流子数目随着温度变化而变化的特性制成的()敏感元件。
第17题:
N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。
第18题:
N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。
第19题:
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。
第20题:
在P型半导体中空穴是()载流子,电子是()载流子。
第21题:
半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
第22题:
半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
第23题:
第24题:
正离子数
负离子数
质子
原子