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以PMOS为例，写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。

题目

以PMOS为例，写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。

相似考题

1.每一证券都有自己的风险―收益特性，而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。（ ）

2.每一种证券都有自己的风险一收益特性，而这种特性不会随着相关因素的变化而变化。（ ）

3.To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

4.MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()此题为判断题(对，错)。

更多“以PMOS为例，写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。”相关问题

  • 第1题：

    由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。

    A．CMOS场效应管

    B．PMOS场效应管

    C．NMOS场效应管

    D．二簧继电器


    正确答案：D

  • 第2题：

    负荷特性是指负荷的有功功率和无功功率随着（）变化而变化的规律。


    正确答案:电压或频率

  • 第3题：

    PMOS管的开启电压UT为（）。

    • A、正值
    • B、负值
    • C、零值
    • D、正负值都有可能

    正确答案:B

  • 第4题：

    机车牵引力随着机车（）不同而变化的规律称为机车的牵引特性。


    正确答案:速度

  • 第5题：

    长度比是一个常量，它既不随着点的位置不同而变化，也不随着方向的变化而变化。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    热敏电阻正是利用半导体（）数目随着温度变化而变化的特性制成的（）敏感元件。


    正确答案:载流子；温度

  • 第7题：

    填空题
    MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

    正确答案： MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压,正,负
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（），并用金属线把这个（）与nwell内的（）电位相连接。

    正确答案： n+接触孔,n+接触孔,最高
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

    正确答案： 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压>0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。
    影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？

    正确答案： 同宽长比的PMOS的阈值要大一些
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下列（）关于非线性元件定义是错误的。
    A

    非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化

    B

    元件的参数特性随时间变化而变化

    C

    元件的参数特性随温度变化而变化

    D

    元件的参数特性随电压因素而变化


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

    正确答案： N阱
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    每一证券都有自己的风险一收益特性，而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。（ ）。


    正确答案：×

  • 第14题：

    以NH4Cl为例，写出焦油脱盐的化学反应方程式？


    正确答案: 2NH4Cl+NaCO3→（NH4）2CO3+2NaCl

  • 第15题：

    MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。


    正确答案:CMOS

  • 第17题：

    下列门电路工作速度最快的一种是（）。

    • A、TTL
    • B、CMOS
    • C、NMOS
    • D、PMOS

    正确答案:A

  • 第18题：

    下列（）关于非线性元件定义是错误的。

    • A、非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化
    • B、元件的参数特性随时间变化而变化
    • C、元件的参数特性随温度变化而变化
    • D、元件的参数特性随电压因素而变化

    正确答案:B

  • 第19题：

    问答题
    NMOS和PMOS的源漏如何形成的？

    正确答案： NMOS是在P型衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的漏源区；PMOS是在N型衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的漏源区。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    机车牵引力随着机车（）不同而变化的规律称为机车的牵引特性。

    正确答案： 速度
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

    正确答案： N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

    正确答案： CMOS
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    简述PMOS管的具体结构。

    正确答案： 半导体部分的结构包含由两个P型硅的扩散区隔开的N型硅区域，这层型硅区域之上覆盖了由一个绝缘层和一个栅极的导电电极构成的夹层结构，两个P型硅的扩散区分别通过与金属导体的欧姆接触，形成源极和漏极。
    解析： 暂无解析

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