晶体管的工作状态有 ()A、截止状态B、放大状态C、饱和状态

第1题：

8、IGBT的饱和工作原理是（）。

A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。

B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。

C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。

D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。

第2题：

如果将晶体管的基极和发射极短路（即UB=UE），则（）。

A．晶体管工作在放大状态

B．晶体管工作在截止状态

C．晶体管工作在饱和状态

D．晶体管损坏

第3题：

晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。

第4题：

当晶体管的发射结和集电结都正偏时，晶体管工作在截止状态。

第5题：

8、晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。