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兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化

题目

兴奋性突触后电位的形成是因为( )。

A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化

B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化

C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化

D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化

E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化

相似考题

1.抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

2.抑制性突触后电位A．是去极化局部电位B．是超极化局部电位C．具有全或无特征D．是突触前膜递质释放减少所致E．是突触后膜对Na+通透性增加所致

3.关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

4.抑制性突触后电位A．是去极化局部电位B．有“全或无”性质C．是超极化局部电位D．是突触前膜递质释放量减少所致E．是突触后膜Na+通透性增加所致

更多“兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化”相关问题

  • 第1题：

    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()

    A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

    B.突触前轴突末梢去极化

    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D.Ca2+由膜外进人突触前膜内

    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案：E
    抑制性递质作用于突触后膜，是突触后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，是突触后膜发生超级化，膜电位减小。

  • 第2题：

    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

    A．突触前轴突末梢超极化

    B．对Ca2+、K+通透性增大

    C．突触后膜出现超极化

    D．突触后膜去极化

    E．突触前膜去极化


    正确答案：C

  • 第3题：

    抑制性突触后电位是

    A．去极化局部电位

    B．超极化局部电位

    C．具有全或无特性

    D．突触后膜Na+通透性增加所致

    E．突触前膜递质释放减少所致


    正确答案：B

  • 第4题：

    下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的？

    A. 突触前膜去极化
    B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
    C. 突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合
    D. 突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强
    E. Na+内流突触后膜超极化产生EPSP

    答案：E
    解析：

  • 第5题：

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位
    B.超极化局部电位
    C.具有全或无特性
    D.突触后膜Na通透性增加所致
    E.突触前膜递质释放减少所致

    答案：B
    解析：
    抑制性突触后电位是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位。故选B。

  • 第6题：

    关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。

    A.具有全或无性质
    B.属去极化局部电位
    C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
    D.属超极化局部电位
    E.由突触前膜递质释放量减少所致

    答案：D
    解析：
    【应试指导】抑制性突触后电位是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。

  • 第7题：

    兴奋性突触后电位的形成是因为（）。

    • A、突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化
    • B、突触后膜对Cl一通透性升高，局部去极化
    • C、突触后膜对Cl一通透性升高，局部超极化
    • D、突触后膜对K+通透性升高，局部超极化
    • E、突触后膜对K+通透性升高，局部去极化

    正确答案:A

  • 第8题：

    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、对Ca2+、K+通透性增大
    • C、突触后膜出现超极化
    • D、突触后膜去极化
    • E、突触前膜去极化

    正确答案:C

  • 第9题：

    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）

    • A、突触前轴突末梢去极化
    • B、Ca2+由膜外进入突触前膜内
    • C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    • D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
    • E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    正确答案:E

  • 第10题：

    单选题
    关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
    A

    突触前轴突末梢超极化

    B

    突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

    C

    突触后膜去极化

    D

    突触后膜电位负值增大，出现超极化

    E

    突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    兴奋性突触后电位的形成是因为（）。
    A

    突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化

    B

    突触后膜对Cl一通透性升高，局部去极化

    C

    突触后膜对Cl一通透性升高，局部超极化

    D

    突触后膜对K+通透性升高，局部超极化

    E

    突触后膜对K+通透性升高，局部去极化


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    兴奋性突触后电位的形成是因为（　　）。
    A

    突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化

    B

    突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化

    C

    突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化

    D

    突触后膜对K+通透性升高，局部超极化

    E

    突触后膜对K+通透性升高，局部去极化


    正确答案： D
    解析：
    突触后膜在递质作用下发生去极化，使该突触后神经元的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位，形成原因是突触后膜在化学递质作用下，引起细胞膜对Na+、K+等离子的通透性增加，由于Na+内流大于K+的外流，所以主要是Na+内流，故出现细胞膜局部去极化电位。因此，答案选A。

  • 第13题：

    关于兴奋性突触传递过程的叙述，错误的是()

    A.突触后膜膜电位去极化达到阈值时，引起突触后神经元发放冲动

    B.突触后膜对Na+、K+、Ca2+，特别是对K+的通透性升高

    C.突触前轴突末梢去极化

    D.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    E.Ca2+由膜外进入突触前膜内


    正确答案：B
    兴奋性递质作用于突触后膜相应受体，使递质门控通道开放，厚膜对Na+和K+的通透性增大。

  • 第14题：

    抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特性

    D.突触后膜NA+通透性增加所致

    E.突触前膜递质释放减少所致


    正确答案：B

  • 第15题：

    抑制性突触后电位是

    A、去极化局部电位

    B、超极化局部电位

    C、具有全或无特征

    D、突触前膜递质释放减少所致

    E、突触后膜对Na+通透性增加所致


    参考答案：B

  • 第16题：

    关于抑制性突触后电位，以下正确的是

    A.是局部去极化电位
    B.是局部超极化电位
    C.由突触前膜递质释放量减少所致
    D.由突触后膜对钠通透性增加所致

    答案：B
    解析：

  • 第17题：

    对兴奋性突触后电位产生过程的描述，错误的是（　　）


    A.突触前膜去极化

    B.Ca2+促进小泡释放递质

    C.递质与后膜受体结合

    D.后膜主要对Cl-通透性增高

    E.后膜发生局部去极化

    答案：D
    解析：

  • 第18题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、对Ca2+、K+通透性增大
    • C、突触后膜出现超极化
    • D、突触后膜去极化
    • E、突触后膜出现复极化

    正确答案:C

  • 第19题：

    关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
    • C、突触后膜去极化
    • D、突触后膜电位负值增大，出现超极化
    • E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大

    正确答案:D

  • 第20题：

    抑制性突触后电位（）

    • A、是去极化局部电位
    • B、是超极化局部电位
    • C、具有全或无特征
    • D、是突触前膜递质释放减少所致
    • E、是突触后膜对Na通透性增加所致

    正确答案:B

  • 第21题：

    单选题
    EPSP与IPSP共同的特征为（　　）。
    A

    突触前膜都去极化

    B

    突触前膜都超极化

    C

    突触后膜都去极化

    D

    突触后膜都超极化

    E

    突触后膜对离子的通透性相同


    正确答案： D
    解析：
    在突触传递过程中，当突触前神经元的兴奋传到神经末梢时，突触前膜发生去极化。递质释放入突触间隙后有两种情况：①突触后膜去极化，产生兴奋性突触后电位EPSP。②突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位IPSP。而E项，突触后膜对Na＋和K＋的通透性增大，且Na＋内流大于K＋外流，导致后膜出现局部去极化，产生EPSP。

  • 第22题：

    单选题
    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
    A

    突触前轴突末梢超极化

    B

    对Ca2+、K+通透性增大

    C

    突触后膜出现超极化

    D

    突触后膜去极化

    E

    突触前膜去极化


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    抑制性突触后电位（）
    A

    是去极化局部电位

    B

    是超极化局部电位

    C

    具有全或无特征

    D

    是突触前膜递质释放减少所致

    E

    是突触后膜对Na通透性增加所致


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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