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测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下,工作在放大区的BJT是________。A.VC=6V,VB=2V,VE=1.3VB.VC=6V,VB=6V,VE=5.6VC.VC=6V,VB=4V,VE=3.6VD.VC=3.6V,VB=4V,VE=3.4V

题目

测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下,工作在放大区的BJT是________。

A.VC=6V,VB=2V,VE=1.3V

B.VC=6V,VB=6V,VE=5.6V

C.VC=6V,VB=4V,VE=3.6V

D.VC=3.6V,VB=4V,VE=3.4V


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  • 第1题:

    NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是()。


    参考答案:发射极

  • 第2题:

    测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、- 2.2V,则该管为()。

    A.NPN型锗管

    B.PNP型锗管

    C.PNP型硅管

    D.NPN型硅管


    参考答案:B

  • 第3题:

    测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V,Vb=-5V,Vc=-5.2V,试判断BJT的三个电极和管型。


    正确答案:A是集电极,B是发射电极,C是基电极;管型为PNP型。

  • 第4题:

    常用的BJT具有()作用,此时应工作在()状态。


    正确答案:电流放大;放大

  • 第5题:

    若想得到最大输出功率,BJT的参数条件:通过BJT的最大集电极电流为(),所选BJT的ICM一般不宜低于此值。


    正确答案:VCC/RL

  • 第6题:

    BJT使用的关键在于驱动电路的合理设计等,在由BJT构成的通用变频器中,影响系统的可靠性的因素有()

    • A、BJT的过热
    • B、BJT的欠压
    • C、BJT的过流
    • D、BJT的干扰

    正确答案:A,C

  • 第7题:

    测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别Va=8V,Vb=5V,Vc=5.7V,试判断BJT的三个电极和管型。


    正确答案:A是集电极,B是发射电极,C是基电极;其管型为NPN型。

  • 第8题:

    在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()失真

    • A、截止失真
    • B、饱和v失真
    • C、双向失真
    • D、线性失真

    正确答案:B

  • 第9题:

    双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加()电压,在集电结加()电压。


    正确答案:正向;反向

  • 第10题:

    测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管不是()

    • A、NPN型锗管
    • B、PNP型锗管
    • C、PNP型硅管
    • D、NPN型硅管

    正确答案:A,C,D

  • 第11题:

    问答题
    测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。      (a)VC=6V     VB=0.7V    VE=0V      (b)VC=6V     VB=2V     VE=1.3V      (c)VC=6V    VB=6V     VE=5.4V      (d)VC=6V    VB=4V     VE=3.6V      (e)VC=3.6V    VB=4V     VE=3.4V

    正确答案: (a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。 
    (b)放大区,VBE=(2—l.3)V=0.7 V,VCB=(6-2)V=4 V,发射结正偏,集电结反偏。 
    (C)饱和区。       
    (d)截止区。
    (e)饱和区。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V,Vb=-5V,Vc=-5.2V,试判断BJT的三个电极和管型。

    正确答案: A是集电极,B是发射电极,C是基电极;管型为PNP型。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是()

    A、饱和

    B、正常放大

    C、截止


    参考答案:B

  • 第14题:

    在某放大电路中,测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为(  )。

    A. NPN硅管
    B. NPN锗管
    C. PNP硅管
    D. PNP锗管

    答案:D
    解析:
    PNP和NPN型半导体三极管具有几乎等同的特性,只是各电极端的电压极性和电流流向不一样,如题解图所示。



    晶体管工作于放大状态的外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。三个电极的电位关系为:NPN管,UC>UB>UE;PNP管,UC<UB<UE。
    正向压降:
    ①NPN型硅管为+(0.6~0.8)V,PNP型硅管为-(0.6~0.8)V;
    ②NPN型锗管为+(0.2~0.4)V,PNP型锗管为-(0.2~0.4)V。
    三极管放大状态时,基极电位为三个极电位中的中间数值,因此可以确定9.8V为基极B。与基极相差0.7V或0.2V的极为发射极,可以确定10V为发射极E,基极相差0.2V,所以是锗管,那么6V为集电极C。
    根据各极电位确定电流方向为由发射极流向基极,可确定为PNP锗管。

  • 第15题:

    BJT电路中,输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是()


    正确答案:CB

  • 第16题:

    用直流电压表测量NPN型晶体散三极管电路,三极管各电极对地的电位是:Ub=3.9V,Ue=3.2V,Uc=3.5V,则该三极管的工作状态是()

    • A、截止;
    • B、饱和;
    • C、放大

    正确答案:B

  • 第17题:

    当NPN型BJT的VCE>VBE且VBE>0.5V时,则BJT工作在()。

    • A、截止区
    • B、放大区
    • C、饱和区
    • D、击穿区

    正确答案:B

  • 第18题:

    如果在BJT模块上标有2DI200D-200,则说明该模块为二单元、集电极最大持续电流200A、()型、开路阻断电压200V的BJT模块。

    • A、安全型
    • B、专用型
    • C、宽安全工作区型
    • D、通用型

    正确答案:D

  • 第19题:

    通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。


    正确答案:错误

  • 第20题:

    一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路,如果其静态工作点偏低,则随着输入电压的增加,输出将首先出现()失真;如果静态工作点偏高,则随着输入电压的增加,输出将首先出现()失真。


    正确答案:截止;饱和

  • 第21题:

    BJT的β值是反映()能力的参数。

    • A、电压控制电压
    • B、电流控制电流
    • C、电压控制电流
    • D、电流控制电压

    正确答案:B

  • 第22题:

    若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。

    • A、PNP型硅管
    • B、PNP型锗管
    • C、NPN型锗管
    • D、NPN型硅管

    正确答案:D

  • 第23题:

    问答题
    为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?

    正确答案: 它的空穴迁移率低于硅的空穴迁移率
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()失真
    A

    截止失真

    B

    饱和v失真

    C

    双向失真

    D

    线性失真


    正确答案: A
    解析: 暂无解析