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光敏晶体管的工作机理是（）。A．外光电效应B．光电导效应C．光生伏特效应D．热电效应

题目

光敏晶体管的工作机理是（）。

A．外光电效应

B．光电导效应

C．光生伏特效应

D．热电效应

相似考题

1.下列哪项不是利用外光电效应原理制成的光电元件()。A、光敏电阻B、光电管C、光电池D、光敏晶体管

2.常见的光电转换元件包括（）、（）、光敏电阻和光敏晶体管。

3.红外接收光敏器件是一种专门设计的具有相当大吸收面积的高灵敏度的（）。A、晶体管B、光敏二极管C、稳压管D、场效应管

4.光照越强,光敏晶体管的光电流越大。()此题为判断题(对，错)。

更多“光敏晶体管的工作机理是（）。”相关问题

  • 第1题：

    在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）

    • A、“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）
    • B、“集电极到发射极开路”是故障模式
    • C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）
    • D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式

    正确答案:B,C

  • 第2题：

    在下列元件中不属于光电元件的是（）。

    • A、光纤
    • B、光敏电阻
    • C、光电池
    • D、光敏晶体管

    正确答案:A

  • 第3题：

    光敏晶体管只有NPN型一种。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    光敏晶体管的工作原理是基于（）效应。

    • A、外光电
    • B、内光电
    • C、光生电动势
    • D、光热效应

    正确答案:B

  • 第5题：

    光敏晶体管的灵敏度随光波的波长变化而变化。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    试述光敏电阻、光敏晶体管、光电池的器件结构和工作原理。


    正确答案: 光敏电阻的结构：绝缘衬底上均匀地涂上一层具有光导效应的半导体材料，作为光电导层，在半导体的两端装有金属电极，金属电极与引出线端相连接，光敏电阻就通过引出线端接入电路。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。
    光敏三极管的结构与一般三极管很相似，只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。光敏三极管的工作原理是基于内光电效应。
    光电池是用单晶硅制成的，在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成一个大面积的PN结，P层很薄，从而使光能穿透到PN结上。由于光线的照射，使P区带正电荷，N区带负电荷，从而在两区之间形成电位差，即构成光电池，若接于外电路中就可产生电流。光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。

  • 第7题：

    光敏晶体管光谱特性不存在一个最佳灵敏度波长。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    关于光敏色素作用机理的基因调节假说内容如何？


    正确答案:在接受红光照射后，Pfr型经过一系列过程，将信号转移到基因，活化或抑制某些特定基因，使转录出单股mRNA的速度发生改变，mRNA翻译成特殊蛋白质（酶），最后表现出形态建成，研究证明，多种酶的活性通过光敏色素受光调节。如PAL、NR等。蛋白质磷酸化受Ca2+-CaM调节，它可能是连接光敏色素的光活化和基因表达的中间步骤。

  • 第9题：

    判断题
    光敏晶体管只有NPN型一种。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    在下列元件中不属于光电元件的是（）。
    A

    光纤

    B

    光敏电阻

    C

    光电池

    D

    光敏晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    光敏晶体管的工作原理是基于（）效应。
    A

    外光电

    B

    内光电

    C

    光生电动势

    D

    光热效应


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述光敏电阻，光敏二极管，光敏晶体管，光电池的工作原理。

    正确答案： 光敏电阻：纯粹电阻元件，阻值随光照增加而减少，无光照时，光敏电阻阻值很大，电路中的电流很小；当受到一定波长范围内的光照时，它的阻值急剧减小，电路中的电流迅速增大。
    光敏二极管：在电路中光敏二极管一般处于反向工作状态，处于反向偏置的PN结，在无光照时具有高阻特性，反向暗电流很小。当有光照时，在结电场作用下，电子向N区运动，空穴向P区运动，形成光电流，方向与反向电流一致。光的照度愈大，光电流愈大。由于无光照时的反偏电流很小，因此光照时的反方向电流基本与光强成正比。
    光敏晶体管具有两个PN结，可以看成是一个bc结为光敏二极管的三极管。在光照作用下，二极管将光信号转换为电流信号，该电流信号被三极管放大。
    光电池：基于光生伏打特效制成，是自发式有源器件。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    简述光敏电阻，光敏二极管，光敏晶体管，光电池的工作原理。 


    正确答案:光敏电阻：纯粹电阻元件，阻值随光照增加而减少，无光照时，光敏电阻阻值很大，电路中的电流很小；当受到一定波长范围内的光照时，它的阻值急剧减小，电路中的电流迅速增大。
    光敏二极管：在电路中光敏二极管一般处于反向工作状态，处于反向偏置的PN结，在无光照时具有高阻特性，反向暗电流很小。当有光照时，在结电场作用下，电子向N区运动，空穴向P区运动，形成光电流，方向与反向电流一致。光的照度愈大，光电流愈大。由于无光照时的反偏电流很小，因此光照时的反方向电流基本与光强成正比。
    光敏晶体管具有两个PN结，可以看成是一个bc结为光敏二极管的三极管。在光照作用下，二极管将光信号转换为电流信号，该电流信号被三极管放大。
    光电池：基于光生伏打特效制成，是自发式有源器件。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。

  • 第14题：

    用光敏二极管或光敏晶体管测量某光源的光通量是根据什么特性实现的（）。

    • A、光谱特性
    • B、伏安特性
    • C、频率特性
    • D、光电特性

    正确答案:D

  • 第15题：

    光敏晶体管的工作原理是基于（）效应。

    • A、外光电
    • B、内光电
    • C、光生电动势

    正确答案:B

  • 第16题：

    试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。


    正确答案:光电池：与外电路连接有短路电流输出和开路电压输出两种形式。
    硅光电池转换效率较低，适宜工作在可见光波段。灵敏度高，适合作开关元件。
    光敏晶体管：灵敏度和线性度均好，可用作线性转换元件和开关。
    光敏电阻：光照特性呈非线性，不适合做线性检测元件，但可作开关元件。
    光电倍增管：光电流大，灵敏度高，可用来检测和放大微弱光信号。

  • 第17题：

    基于内光电效应的光电元件有（）。

    • A、光敏晶体管
    • B、光电管
    • C、光敏电阻
    • D、光电倍增管

    正确答案:A,C

  • 第18题：

    在入射光照度一定时，光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化，一种光敏晶体管只对一定波长范围的人射光敏感，这就是光敏晶体管的（）特性.

    • A、光电
    • B、温度
    • C、光谱
    • D、频率

    正确答案:C

  • 第19题：

    关于光敏色素的作用和机理有两种假说（）和（）。


    正确答案:膜假说、基因调节假说

  • 第20题：

    问答题
    试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。

    正确答案： 光电池：与外电路连接有短路电流输出和开路电压输出两种形式。 硅光电池转换效率较低，适宜工作在可见光波段。灵敏度高，适合作开关元件。
    光敏晶体管：灵敏度和线性度均好，可用作线性转换元件和开关。
    光敏电阻：光照特性呈非线性，不适合做线性检测元件，但可作开关元件。
    光电倍增管：光电流大，灵敏度高，可用来检测和放大微弱光信号。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    常见的光电转换元件包括（）、（）、光敏电阻和光敏晶体管。

    正确答案： 光电管,光电池
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    光敏晶体管的工作原理是基于（）效应。
    A

    外光电

    B

    内光电

    C

    光生电动势


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    多选题
    在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）
    A

    “集电极到发射极开路”是故障原因（机理）

    B

    “集电极到发射极开路”是故障模式

    C

    “晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）

    D

    “晶体管内基片上有裂缝”是故障模式


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

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