5、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

第1题：

第2题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:空穴；五价；N；电子

第3题：

P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

正确答案:空穴；自由电子；电子—空穴对

第4题：

在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。

正确答案:错误

第5题：

本征半导体载流子（）

• A、自由电子和空穴的浓度无法确定
• B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
• C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
• D、自由电子和空穴的浓度相等

正确答案:D

第6题：

本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

正确答案:正确

第7题：

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？

正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

第8题：

半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）

正确答案:自由电子；空穴；环境温度或光照强度；掺杂浓度

第9题：

下列物质中载流子最多的是（）。

• A、本征半导体
• B、掺杂半导体
• C、导体
• D、绝缘体

正确答案:C

第10题：

本征半导体的电导率随温度升高而上升。

正确答案:正确

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

正确答案:五；自由电子；空穴；正

第15题：

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

第16题：

在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

第17题：

半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

正确答案:自由电子；空穴；三价元素

第18题：

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.

正确答案:少

第19题：

温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）

正确答案:增加；增加；基本不变

第20题：

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

正确答案:错误

第21题：

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

• A、电子载流子
• B、空穴载流子
• C、电子载流子和空穴载流子

正确答案:C

第22题：

第23题：

第24题：