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经掺杂+5价杂质的杂质半导体为（），其杂质也被称为（）。A．N型半导体B．施主杂质C．P型半导体D．受主杂质

题目

经掺杂+5价杂质的杂质半导体为（），其杂质也被称为（）。

A．N型半导体

B．施主杂质

C．P型半导体

D．受主杂质

相似考题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.根据在本征半导体中掺入的杂质不同,可把杂质半导体分为:()两大类。

3.在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

4.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

更多“经掺杂+5价杂质的杂质半导体为（），其杂质也被称为（）。”相关问题

  • 第1题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第2题：

    因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类。


    正确答案:N；P

  • 第3题：

    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）

    • A、 温度越高，掺杂越快
    • B、 温度越低，掺杂越快
    • C、 温度恒定，掺杂最快
    • D、 掺杂快慢与温度无关

    正确答案:A

  • 第4题：

    在本征半导体中掺入微量的（）等元素杂质时的半导体，称为P型半导体。

    • A、5价元素
    • B、3价元素
    • C、1价元素

    正确答案:B

  • 第5题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第6题：

    在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）

    • A、本征半导体
    • B、N型半导体
    • C、P型半导体
    • D、杂质半导体

    正确答案:B

  • 第7题：

    杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。


    正确答案:本征激发

  • 第8题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第9题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第10题：

    在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型
    • D、V型

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
    A

    非本征

    B

    本征


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

    • A、非本征
    • B、本征

    正确答案:B

  • 第15题：

    本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体


    正确答案:错误

  • 第16题：

    在本征半导体中掺入微量五价元素可得到（）型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到（）型杂质半导体。


    正确答案:N；P

  • 第17题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第18题：

    因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为（）半导体和（）半导体两大类。


    正确答案:空穴（P）；电子（N）

  • 第19题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第20题：

    在N型半导体中，掺入（）价杂质元素。


    正确答案:+5

  • 第21题：

    在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型

    正确答案:B

  • 第22题：

    掺有杂质的半导体称为（）。

    • A、本征半导体
    • B、天然半导体
    • C、杂质半导体
    • D、硅半导体

    正确答案:C

  • 第23题：

    单选题
    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）
    A

     温度越高，掺杂越快

    B

     温度越低，掺杂越快

    C

     温度恒定，掺杂最快

    D

     掺杂快慢与温度无关


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    （）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。

    正确答案： 热扩散,离子注入,P,As,B,Zn,Si
    解析： 暂无解析

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