影响半导体应变片电阻变化的最主要原因是()
A.材料电阻率的变化
B.材料几何尺寸的变化
C.材料化学性质的变化
D.材料光学性质的变化
第1题:
A、单位应变的电阻变化量
B、单位电阻的应变变化量
C、单位应变的电阻变化率
D、单位电阻的应变变化率
第2题:
各种材料的电阻率会随温度而变化。
第3题:
半导体应变片主要是利用半导体材料的()
第4题:
指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。
第5题:
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。
第6题:
金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。
第7题:
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。
第8题:
关于电阻应变片,下列说法中正确的是()
第9题:
影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。
第10题:
对
错
第11题:
单位应变的电阻变化量
单位电阻的应变变化量
单位应变的电阻变化率
单位电阻的应变变化率
第12题:
第13题:
金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()
第14题:
半导体应变片的电阻变化基于半导体()的变化。
第15题:
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
第16题:
半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
第17题:
当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
第18题:
应变是被测试材料尺寸的变化率,它是加载后应力引起的尺寸变化。()
第19题:
金属材料的应变效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
第20题:
影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是()。
第21题:
贴片位置的温度变化
电阻丝几何尺寸的变化
电阻丝材料的电阻率变化
第22题:
导电材料电阻率的变化
导电材料几何尺寸的变化
导电材料物理性质的变化
导电材料化学性质的变化
第23题:
第24题: