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计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）

题目

计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）

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1.QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

2.QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。A、标准电容器B、标准电感C、标准电阻

3.交流耐压试验一般有以下（）几种方法。A、工频耐压试验B、QS1电桥试验C、感应耐压试验D、冲击电压试验

4.使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污

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  • 第1题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第2题：

    在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。


    正确答案:谐放；平衡

  • 第3题：

    用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

    • A、10kV
    • B、1.1倍相电压
    • C、2.2倍相电压
    • D、线电压

    正确答案:B

  • 第4题：

    用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？


    正确答案: QS1型西林电桥分流器位置由被试品电容量决定：分流器位置在0.01档时，Cx一般在3000pF以下；分流器位置在0.025档时，Cx一般在8000pF以下；分流器位置在0.06档时，Cx一般在19400pF以下，分流器在0.15档时，Cx一般在48000pF以下；分流器位置在1.25档时，Cx一般在400000pF以下。
    此被试品电容量为4000pF，则一般应选择在0.025档。

  • 第5题：

    测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。

    • A、10000V
    • B、5000V
    • C、2500V
    • D、1000V

    正确答案:C

  • 第6题：

    测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？


    正确答案: ①在使用电桥过程中，若分流电阻选择不当，很可能损坏R3的各电阻元件，②因为通过被试品的全部电流要由分流电阻和R3分别承担。

  • 第7题：

    采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。

    • A、自激法
    • B、它激法
    • C、未端加压法
    • D、未端屏蔽法

    正确答案:D

  • 第8题：

    用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    判断题
    用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。

    正确答案： 分流器位置是0.06时，n=25
    C.x=CN×R4（100+R3）/n（R3+e）=50×3184×（100+64）/25（64+0.4）=16216.6（皮法）
    答：Cx为16216.6皮法。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。

    • A、自激法
    • B、末端加压法
    • C、末端屏蔽法

    正确答案:C

  • 第14题：

    变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。

    • A、10
    • B、15
    • C、20
    • D、25

    正确答案:C

  • 第15题：

    测量绝缘介损的仪器按原理可以分为（）。

    • A、西林电桥
    • B、电流比较型电桥
    • C、M型电桥
    • D、直流电流电压法电桥

    正确答案:A,B,C

  • 第16题：

    用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）


    正确答案: 由已知条件：CN=50pF，R3=345Ω，再由电桥计算公式解得Cx值为461.4pF。

  • 第17题：

    在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。


    正确答案:谐波；平衡

  • 第18题：

    用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。

    • A、拆除高压引线
    • B、将中间变压器高压绕组接地端断开
    • C、电桥输出电压10000V
    • D、电桥输出电压不能过高

    正确答案:B,C

  • 第19题：

    用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？


    正确答案: 应采用反接线。
    测量时非被试绕组应短路接地，被试绕组三相要短接。

  • 第21题：

    用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

    • A、10Kv
    • B、1.1倍相电压
    • C、线电压

    正确答案:B

  • 第22题：

    问答题
    用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。

    正确答案： C.x=CN×R4/R3=50×3184/345=461.4（皮法）
    答：Cx值为416.4皮法。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。

    正确答案： 谐放,平衡
    解析： 暂无解析

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