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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态

题目

采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）

  • A、全部绕组的绝缘状态
  • B、1/2绕组的绝缘状态
  • C、1/4绕组绝缘状态
  • D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
相似考题

1.通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。A、支架开裂B、线圈匝，层间短路C、受潮D、铁心夹件悬浮电位放电

2.在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

3.用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。

4.测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。

参考答案和解析
正确答案:D
更多“采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（”相关问题

  • 第1题：

    用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。

    • A、1/8
    • B、1/4
    • C、1/2
    • D、1/6

    正确答案:B

  • 第2题：

    采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。

    • A、自激法
    • B、末端加压法
    • C、末端屏蔽法

    正确答案:C

  • 第3题：

    对电磁式电压互感器出厂试验验收要求110（66）kV及以上电磁式应满足：串级式：介损因数（）非串级式：介损因数（）。

    • A、小于等于0.02；小于等于0.005
    • B、小于等于0.05；小于等于0.005
    • C、小于等于0.02；小于等于0.002
    • D、小于等于0.05；小于等于0.002

    正确答案:A

  • 第4题：

    测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    现场测量500kV双断口断路器的并联电容器tgδ时，宜采用（）。

    • A、反接屏蔽法
    • B、正接法
    • C、反接法
    • D、末端加压法

    正确答案:B

  • 第7题：

    在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。


    正确答案:谐波；平衡

  • 第8题：

    采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。

    • A、自激法
    • B、它激法
    • C、未端加压法
    • D、未端屏蔽法

    正确答案:D

  • 第9题：

    小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线；电桥按正接线方式工作。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    单选题
    用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况
    A

    一次绕组对二次绕组及地

    B

    处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间

    C

    铁芯支架

    D

    处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。
    A

    支架开裂

    B

    线圈匝，层间短路

    C

    受潮

    D

    铁心夹件悬浮电位放电


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况

    • A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
    • B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
    • C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间
    • D、上下铁芯支架

    正确答案:C

  • 第15题：

    测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。

    • A、常规法（短路法）
    • B、激磁法
    • C、间接法
    • D、末端加压法

    正确答案:A

  • 第16题：

    500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。

    • A、反接屏蔽法
    • B、正接法
    • C、自激法
    • D、末端加压法

    正确答案:D

  • 第17题：

    用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ，首端A开路，Cx接二次x、xD。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    串级式PTtgδ测量时，常规法要二、三次线圈短接，而自激法、末端屏蔽法、末端加压法却不许短接，为什么？


    正确答案: 常规法测量时，如不将二、三次线圈短接，若此时一次线圈也不短接，会引入激磁电感和空载损耗影响测得的tgδ值出现偏大的误差。而自激法或末端屏蔽法主要测的是一次线圈及下铁芯对二、三次和对地的分布电容和tgδ值。
    如果将二、三次短路，则激磁电流大大增加，不仅有可能烧坏互感器，还使一次电压与二、三次电压间相角差增加，引起不可忽视的测量误差。另外从自激法的接线来讲，高压标准电容器自激法，用一个或二个低压线圈励磁，低压标准电容器法，两个线圈均已用上，因而不允许短路。

  • 第20题：

    在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？


    正确答案: 主要有以下几种方法：
    ①常规法-测量一次绕组对二次及剩余绕组及对的介损；
    ②末端加压法-高压端A接地，末端X加压，二次及剩余绕组的一端接入电桥CX，正接线；
    ③自激法-由二次励磁，末端X接QS1电桥的E，用电桥的侧接线测量；
    ④末端屏蔽法-由高压端A加压，X端和底座接地，二次及剩余绕组各一端（X，XA.引入电桥CX，正接线测量，这种方法也是测量支架介损的方法之一。

  • 第22题：

    进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有（）。

    • A、常规法
    • B、正接法
    • C、末端屏蔽法
    • D、末端加压法

    正确答案:A,C,D

  • 第23题：

    判断题
    用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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