测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。

第1题：

用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。

第2题：

电容C1=1法拉与电容C2=2法拉串联，已知C1上的电压为10伏特，则C2上的电压降为（）。

• A、10V
• B、5V
• C、20V

第3题：

四端钮接地电阻测量仪P2、C2、P1、C1端钮在测量接地电阻时的用途为（）。

• A、P2、C2短接与被测接地体相连
• B、P1、C1短接与被测接地体相连
• C、P1接电位辅助探
• D、C2接电流辅助探针
• E、C1接电流辅助探针

第4题：

为了减小测量误差，使用双臂电桥时必须注意四根引出线C1、P1、C2、P2的连接方法，在测量时应将电位接头（）靠近被测电阻的两端。

• A、C1、P1
• B、C2、P2
• C、P1、P2
• D、C1、C2

第5题：

断路器断口均压电容器组装前应按规程完成（）。

• A、电容值测量
• B、绝缘电阻测量
• C、高压介损测量
• D、耐压试验

第6题：

测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）

第7题：

测量绝缘介质出现负值的主要原因是（）

• A、标准电容有介损且大于被试品的介损
• B、电场干扰
• C、空间干扰
• D、湿度影响

第8题：

测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。

• A、10000V
• B、5000V
• C、2500V
• D、1000V

第9题：

由高压电容器C1与低压电容器C2串联组成的分压器，在测量交流高压时，应用（）测量C2上的电压U2，再按（）算出电压U1。

第10题：

用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。

第11题：

进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）

第12题：

测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。

• A、正接线
• B、反接线
• C、自激法
• D、末屏加压法

第13题：

电容器C1、C2并联后，其总电容为（）

• A、C1与C2之和
• B、C1与C2之差
• C、C1与C2之积
• D、C1与C2之比

第14题：

将电容器C₁（100V、20uF）和C₂（160V、20uF）串联接到250V电压上，则（）。

• A、C₁、C₂均正常工作
• B、 C₁击穿，C₂正常工作
• C、C₁、C₂均击穿
• D、C₁正常工作，C₂击穿

第15题：

电容式差压变送器（）的任务是将（C2一C1）与（C2十C1）的比值转换为电压或电流

• A、测量膜盒
• B、测量膜片
• C、传送部分
• D、隔离膜片

第16题：

当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

第17题：

在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

第18题：

若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%，绝缘电阻为10000MΩ，末屏对地的绝缘电阻为120MΩ，末屏介损为2.5%，该设备（）。

• A、可以继续运行，主绝缘良好，且介损值在规程规定值以内
• B、可以继续运行，缩短试验周期
• C、可以继续运行，运行中末屏接地，末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考
• D、不可以继续运行，测量值超出规程规定值

第19题：

用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。

第20题：

在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

第21题：

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

第22题：

用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。

第23题：

当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时，必须严格按照（）规定进行。