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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
题目
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料
二、在后续工艺中，保护下面的材料
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第1题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
正确答案:A,B,C,D,E -
第2题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。 -
第3题：
问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。正确答案： 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？正确答案： 硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。难熔金属硅化物的优点和其作用：
1、降低接触电阻，
2、作为金属与有源层的粘合剂。
3、高温稳定性好，抗电迁移性能好4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述光刻胶的概念及目的正确答案： 概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化
目的：
（1）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
（2）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题列举用于硅片制造的5种常用掺杂。正确答案： 离子注入，热扩散，硅浆料，丝网印刷，激光解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题为什么要用单晶进行硅片制造？正确答案： 半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构，这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题列出并描述两种主要的光刻胶。正确答案： 负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上。解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？正确答案： 一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二，在后续工艺中，保护下面的材料解析： 暂无解析 -
第13题：
机械制造中的最终热处理的目的是什么？常用的种类及其在机械加工顺序当中的安排及目的？
正确答案: 最终热处理的目的是：达到零件要求的力学性能。
常用的种类有：淬火、渗碳淬火、渗氮。
在机械加工顺序中的安排及目的：淬火应安排在半精加工后精加工前进行，目的是提高零件的硬度和耐应性。渗碳淬火安排在半精加工和精加工之间进行。目的是使零件表面获得较高的硬度，而心部保持良好的韧性和塑性。渗氮一般安排在零件的最后一次工序进行，但应在渗氮前安排调质处理及去应力处理。目的是不仅提高零件表面的硬度和耐应性，还可提高疲劳强度和耐腐蚀性。 -
第14题：
单晶硅硅片的制造过程？
正确答案: 首先将用CZ法得到的单晶硅铸模用专用切割机进行切割。目前太阳能电池用的铸模，仍以生产性能高的线形锯切割为主，然后对切割面进行研磨，使其表面平滑。由于切割面是被机械冲击过的，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面减薄10~20μm的程度。最终得到约为300μm厚的硅片。 -
第15题：
填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。正确答案： 掺杂阻挡,表面钝化,金属层间介质解析： 暂无解析 -
第16题：
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。正确答案： 光刻区，刻蚀区和离子注入区解析： 暂无解析 -
第18题：
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？正确答案： 主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子 注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的。正确答案： 金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。
注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。
势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。
掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。
阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。
栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题例举硅片制造厂房中的7种玷污源。正确答案： 硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。正确答案： 铝,铝,铜解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。解析： 暂无解析