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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
题目
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
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第1题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。 -
第2题：
名词解释题光刻胶正确答案： 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。解析： 暂无解析 -
第3题：
问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题？正确答案： 目的：除去光刻胶内的残余溶剂、增加光刻胶的强度，并通过进一步的聚合作用改进光刻胶的刻蚀与离子注入的抵抗力。增强了光刻胶的附着力。
过度：影响光刻技术的分辨率。
不足：光刻胶强度不够解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题简述光刻胶的成分特征。正确答案： 光学光刻胶通常包含有三种成份：
①聚合物材料（也称为树脂）：聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定了光刻胶薄膜的其它一些持性（如光刻胶的膜厚、弹性和热稳定性）。
②感光材料：感光材料一般为复合物（简称PAC或感光剂）。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。
③溶剂（如丙二醇一甲基乙醚，简称PGME）：溶剂的作用是可以控制光刻胶机械性能（例如基体黏滞性），并使其在被涂到硅片表面之前保持为液态。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述光刻胶的概念及目的正确答案： 概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化
目的：
（1）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
（2）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第10题：
名词解释题正光刻胶正确答案： 曝光区域变软并最后被溶解。负胶则相反。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？正确答案： 一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二，在后续工艺中，保护下面的材料解析： 暂无解析 -
第13题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E -
第14题：
问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。正确答案： 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？正确答案： 显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低。解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题列出光刻胶的四种成分正确答案： 聚合物、感光剂、溶剂和添加剂解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第18题：
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？正确答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。正确答案： 感光剂、基体材料和溶剂,重氮醌,长链分子断裂,去除,交联,保留解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题什么是负光刻胶？正确答案： 负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题光刻胶厚度随什么变化？正确答案： 粘度越高转速越低，光刻胶就越厚解析： 暂无解析 -
第23题：
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆
B曝光
C显影
D腐蚀
正确答案： C,B解析： 暂无解析