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通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

题目

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

相似考题

1.硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()此题为判断题(对，错)。

2.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

3.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定

4.在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

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  • 第1题：

    硅二极管的反向电流比锗二极管大。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。

    • A、正向电阻
    • B、正向电流
    • C、反向电阻
    • D、正向导通电压

    正确答案:D

  • 第4题：

    锗二极管的正向压降通常为（）。

    • A、0.3v左右
    • B、0.5v左右
    • C、0.6v左右
    • D、0.7v左右

    正确答案:A

  • 第5题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第6题：

    当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。


    正确答案:增大；减小

  • 第7题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第8题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）


    正确答案:大

  • 第9题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第10题：

    硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第11题：

    单选题
    在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。
    A

    正向电阻

    B

    正向电流

    C

    反向电阻

    D

    正向导通电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    （）是衡量二极管质量优劣的重要参数，值越小，质量越好。

    • A、正向电流
    • B、反向饱和电流
    • C、反向电流
    • D、反向饱和电流

    正确答案:D

  • 第14题：

    二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）


    正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

  • 第15题：

    实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。


    正确答案:0.7V；0.2V

  • 第16题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）


    正确答案:正确

  • 第17题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第18题：

    硅管的正向导通压降大于锗管。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）


    正确答案:小

  • 第20题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第21题：

    普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。


    正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

  • 第22题：

    单选题
    锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。
    A

    0.4V

    B

    0.5V

    C

    0.6V

    D

    0.7V


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。

    正确答案： 0.6-0.8伏,0.2-0.3伏
    解析： 暂无解析

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