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2、NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。

题目

2、NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。

相似考题

1.晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()此题为判断题(对，错)。

2.NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

3.晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()此题为判断题(对，错)。

4.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

更多“2、NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。”相关问题

  • 第1题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第2题：

    NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。



    答案：C
    解析：
    当NPN型晶体管工作在放大状态时，基极与发射极为正向偏置的PN结。由PN结二极管理想状态特性方程：



    易知C项正确。

  • 第3题：

    NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。

    • A、UC﹥UE﹥UB
    • B、UC﹥UB﹥UE
    • C、UC﹤UB﹤UE

    正确答案:B

  • 第4题：

    用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。

    • A、PNP型，处于放大工作状态
    • B、PNP型处于截止工作状态
    • C、NPN型，处于放大工作状态
    • D、NPN型处于截止工作状态

    正确答案:C

  • 第5题：

    NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。

    • A、UC＞UE＞UB
    • B、UC＞UB＞UE
    • C、UC＜UB＜UE
    • D、UC＜UE＜UB

    正确答案:B

  • 第6题：

    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。


    正确答案:集电区

  • 第7题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是（）。

    • A、基区薄而其杂质浓度低
    • B、基区杂质浓度高
    • C、降低发射区杂质浓度
    • D、加强电子在基区的复合

    正确答案:A

  • 第8题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第9题：

    三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。


    正确答案:发射；收集

  • 第10题：

    NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）

    • A、Uc>Ub>Ue
    • B、Uc<bb<Ue
    • C、Uc>Ue>Ub
    • D、Uc=Ub=Ue

    正确答案:A

  • 第11题：

    填空题
    在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

    正确答案： 减小,降低
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。

    正确答案： 集电区
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    A.基区薄而其杂质浓度低

    B.基区杂质浓度高

    C.降低发射区杂质浓度

    D.加强电子在基区的复合


    参考答案：A

  • 第14题：

    正常放大时，三极管耗能最大的是（）.

    • A、发射区
    • B、基区
    • C、发射结
    • D、集电结

    正确答案:D

  • 第15题：

    对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。

    • A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；
    • B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；
    • C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；
    • D、以上说法都错。

    正确答案:C

  • 第16题：

    晶体管分为三层分别为（）

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第17题：

    三极管的电流放大作用取决于电子在（）中扩散与复合的比例。

    • A、基极
    • B、基区
    • C、集电压
    • D、发射区

    正确答案:B

  • 第18题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第19题：

    叙述晶体三极管电流的传输过程（）。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第20题：

    无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。


    正确答案:集电区

  • 第21题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第22题：

    NPN型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。

    • A、Uc>Ue>Ub
    • B、Uc>Ub>Ue
    • C、Uc
    • D、Uc

    正确答案:B

  • 第23题：

    单选题
    NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。
    A

    VC＞VE＞VB

    B

    VC＞VB＞VE

    C

    VC＞VB＞VE

    D

    VB＞VE＞VC


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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