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更多“2、NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。”相关问题
  • 第1题:

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案:D

  • 第2题:

    NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射极电压与发射极电流的关系为(  )。



    答案:C
    解析:
    当NPN型晶体管工作在放大状态时,基极与发射极为正向偏置的PN结。由PN结二极管理想状态特性方程:



    易知C项正确。

  • 第3题:

    NPN型晶体管处于放大状态时,各级的电位关系是()。

    • A、UC﹥UE﹥UB
    • B、UC﹥UB﹥UE
    • C、UC﹤UB﹤UE

    正确答案:B

  • 第4题:

    用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V,则该管是()。

    • A、PNP型,处于放大工作状态
    • B、PNP型处于截止工作状态
    • C、NPN型,处于放大工作状态
    • D、NPN型处于截止工作状态

    正确答案:C

  • 第5题:

    NPN型晶体管处于放大状态时,各极电压关系是()。

    • A、UC>UE>UB
    • B、UC>UB>UE
    • C、UC<UB<UE
    • D、UC<UE<UB

    正确答案:B

  • 第6题:

    每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。


    正确答案:集电区

  • 第7题:

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    • A、基区薄而其杂质浓度低
    • B、基区杂质浓度高
    • C、降低发射区杂质浓度
    • D、加强电子在基区的复合

    正确答案:A

  • 第8题:

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()

    • A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应,基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第9题:

    三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。


    正确答案:发射;收集

  • 第10题:

    NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是()

    • A、Uc>Ub>Ue
    • B、Uc<bb<Ue
    • C、Uc>Ue>Ub
    • D、Uc=Ub=Ue

    正确答案:A

  • 第11题:

    填空题
    在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。

    正确答案: 减小,降低
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。

    正确答案: 集电区
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    A.基区薄而其杂质浓度低

    B.基区杂质浓度高

    C.降低发射区杂质浓度

    D.加强电子在基区的复合


    参考答案:A

  • 第14题:

    正常放大时,三极管耗能最大的是().

    • A、发射区
    • B、基区
    • C、发射结
    • D、集电结

    正确答案:D

  • 第15题:

    对NPN三极管来说,下列说法正确的是()。

    • A、当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区;
    • B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了;
    • C、外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差;
    • D、以上说法都错。

    正确答案:C

  • 第16题:

    晶体管分为三层分别为()

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第17题:

    三极管的电流放大作用取决于电子在()中扩散与复合的比例。

    • A、基极
    • B、基区
    • C、集电压
    • D、发射区

    正确答案:B

  • 第18题:

    晶体管热噪声主要存在于()电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第19题:

    叙述晶体三极管电流的传输过程()。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子,在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第20题:

    无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区,即发射区、基区和()。


    正确答案:集电区

  • 第21题:

    三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。


    正确答案:高;窄;低;大;正向;反向

  • 第22题:

    NPN型晶体三极管处于放大状态时,各极电位关系是()。

    • A、Uc>Ue>Ub
    • B、Uc>Ub>Ue
    • C、Uc
    • D、Uc

    正确答案:B

  • 第23题:

    单选题
    NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有()。
    A

    VC>VE>VB

    B

    VC>VB>VE

    C

    VC>VB>VE

    D

    VB>VE>VC


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析