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DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。

题目

DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。

相似考题

1.在直流电路中,电容器并联时,各并联电容上()。A.电压相等B.电荷量相等C.电压、电荷量都相等D.电流相等

2.41、利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A. DRAM B.SRAM)

3.下面关于DRAM存储位元描述不正确的是（）。A．DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路B．DRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态C．电容器上的电荷量来体现所存储的信息D．DRAM的读操作通常伴随着刷新操作

4.半导体静态RAM靠【 】存储信息，半导体动态RAM靠电容存储电荷的原理来存储信息。

参考答案和解析
正确答案：刷新或Refresh
刷新或Refresh 解析：本题考查DRAM的工作原理，它就是靠刷新来维持上面存储信息的。
更多“DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失,需定时给电容上的电荷进行 ”相关问题

  • 第1题：

    利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（)RAM。

    A．静态

    B．动态

    C．固态

    D．磁芯


    B

  • 第2题：

    5、静态RAM是采用________存储信息，信息读出后，仍能保持原状态，不需要再生。动态RAM是采用________存储信息，每隔一定时间，需对所有存储单元进行刷新。

    A．电容存储电荷的原理；触发器工作原理

    B．电容存储电荷的原理；锁存器工作原理

    C．触发器工作原理；电容存储电荷的原理

    D．锁存器工作原理；电容存储电荷的原理


    C

  • 第3题：

    DSRAM栅极电容需要定期地充电刷新的原因是 ，每次刷新为一 的存储单元刷新。 （A）电容丢失电荷 （B）锁存器掉电信息丢失 （C）行 （D）列

    A．C

    B．A,D

    C．B,C

    D．B,D


    A,C

  • 第4题：

    由于DRAM电容所存储的电荷会泄露，因此需要每隔一段时间对其执行_____操作，以维持电容上所存储的电荷。


    C

  • 第5题：

    1、关于CCD工作原理下列描述错误的是：

    A．是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件；

    B．以电荷作为信号；

    C．基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移；

    D．构成CCD的基本单元是CMOS电容器；


    构成CCD的基本单元是CMOS电容器；

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