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雪崩光电二极管是利用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管A、低B、高C、高低均可
题目
雪崩光电二极管是利用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管
A、低
B、高
C、高低均可
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第1题：
为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()
A.高正向偏压
B.低正向偏压
C.低反向偏压
D.高反向偏压
参考答案：D
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第2题：
简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。 -
第3题：
为了使雪崩光电二极管APD正常工作，在其PN结上应加高反向偏压。
高反向电压 -
第4题：
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()
A. G>1
B. G<1
C. G=1
D. G=0
参考答案：C
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第5题：
雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压（100~200V）时，在结区产生一个很强的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，在与原子碰撞时可使原子电离，而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，使PN结内电流急剧增加，达到载流子的雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。