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更多“由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C ”相关问题
  • 第1题:

    下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

    A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

    B.IGBT是电压驱动型器件

    C.电力MOSFET存在二次击穿问题

    D.IGBT具有擎住效应


    IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件

  • 第2题:

    30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

    A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

    B.IGBT是电压驱动型器件

    C.电力MOSFET存在二次击穿问题

    D.IGBT具有擎住效应


    AD

  • 第3题:

    1、下面的描述不是电力二极管的特点的是

    A.不可控性和单向导电性

    B.由于通流能力强,压降很大

    C.由于PN结的电容效应的存在,开关速度受限

    D.存在较大反向电流和反向电压过冲


    由于通流能力强,压降很大

  • 第4题:

    3、下面的描述不是电力二极管的特点的是()

    A.不可控性和单向导电性

    B.由于通流能力强,压降很大

    C.由于PN结的电容效应的存在,开关速度受限

    D.存在较大反向电流和反向电压过冲


    由于通流能力强,压降很大

  • 第5题:

    下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。

    A.IGBT是电压驱动型器件

    B.IGBT具有擎住效应

    C.IGBT开关速度高于电力MOSFET

    D.电力MOSFET存在二次击穿问题


    IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件