由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。
A、擎住效应
B、二次击穿
C、雪崩击穿
D、电导调制效应
第1题:
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第2题:
30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第3题:
1、下面的描述不是电力二极管的特点的是
A.不可控性和单向导电性
B.由于通流能力强,压降很大
C.由于PN结的电容效应的存在,开关速度受限
D.存在较大反向电流和反向电压过冲
第4题:
3、下面的描述不是电力二极管的特点的是()
A.不可控性和单向导电性
B.由于通流能力强,压降很大
C.由于PN结的电容效应的存在,开关速度受限
D.存在较大反向电流和反向电压过冲
第5题:
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。
A.IGBT是电压驱动型器件
B.IGBT具有擎住效应
C.IGBT开关速度高于电力MOSFET
D.电力MOSFET存在二次击穿问题