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锗材料二极管的死区电压为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
题目
锗材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7
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第1题：
硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
错误 -
第2题：
一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。
× -
第3题：
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
错误 -
第4题：
【填空题】锗二极管的死区电压是
A -
第5题：
什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
当外加电压很低时，由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，使正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，电流增加很快，这一定数值的电压称为死区电压。