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3、锗二极管的死区电压为（） A、0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V

题目

3、锗二极管的死区电压为（） A、0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V

相似考题

1.硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()此题为判断题(对，错)。

2.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()此题为判断题(对，错)。

3.小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

4.锗材料二极管的死区电压为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

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  • 第1题：

    小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:B

  • 第2题：

    硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V


    正确答案:0.2；0.3

  • 第4题：

    锗二极管的正向压降通常为（）。

    • A、0.3v左右
    • B、0.5v左右
    • C、0.6v左右
    • D、0.7v左右

    正确答案:A

  • 第5题：

    什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

  • 第6题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第7题：

    硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    晶体管的PN结的正向压降为（）。

    • A、锗管为0.3V左右
    • B、锗管为0.7V左右
    • C、硅管为0.3V左右
    • D、硅管为0.7V左右

    正确答案:A,D

  • 第9题：

    二极（锗）管的死区电压为（）。

    • A、0.1V
    • B、0.2V
    • C、0.3V
    • D、0.5V

    正确答案:B

  • 第10题：

    锗二极管的正向导通电压为（）。

    • A、0.3V左右
    • B、0.6V左右
    • C、0.8V左右
    • D、0.7V左右

    正确答案:A

  • 第11题：

    单选题
    在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
    A

    0.1～0.2V／0.3V

    B

    0.2～0.3V／0.7V

    C

    0.3～0.5V／0.7V

    D

    0.5V／0.7V


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V，锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第14题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第15题：

    锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:D

  • 第16题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第17题：

    硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

    • A、0.5V
    • B、0.7V
    • C、0.4V
    • D、0.2V

    正确答案:D

  • 第18题：

    二极管两端加上正向电压时（）

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才导通
    • C、超过0.7V才导通
    • D、超过0.3V才导通

    正确答案:B

  • 第19题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第20题：

    常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。

    • A、0.3V；
    • B、0.7V；
    • C、1V

    正确答案:B

  • 第21题：

    硅材料二极管的死区电压为0.3V。


    正确答案:正确

  • 第22题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

  • 第23题：

    多选题
    晶体管的PN结的正向压降为（）。
    A

    锗管为0.3V左右

    B

    锗管为0.7V左右

    C

    硅管为0.3V左右

    D

    硅管为0.7V左右


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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