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4、常见的干法刻蚀方法主要包括A．等离子体刻蚀B．离子铣C．反应离子刻蚀D．湿法刻蚀

题目

4、常见的干法刻蚀方法主要包括

A．等离子体刻蚀

B．离子铣

C．反应离子刻蚀

D．湿法刻蚀

相似考题

1.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

2.根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

3.在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。

4.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

参考答案和解析
等离子体刻蚀;离子铣;反应离子刻蚀
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  • 第1题：

    下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

    • A、ARC可以是硅的氮化物
    • B、可用干法刻蚀除去
    • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第2题：

    列举4种常见的饮用水消毒方法。


    正确答案:氯消毒、二氧化氯消毒、臭氧消毒、紫外线消毒。

  • 第3题：

    岗位培训的主要内容不包括（）。

    • A、主要设备的工作原理
    • B、沟通的技巧
    • C、主要设备常见故障的排除方法
    • D、事故、事件调查原则

    正确答案:B,D

  • 第4题：

    冠心病的常见危险因素中的疾病因素包括：（）、（）、（）、（）、。冠心病常见危险因素中不良生活方法包括：（）、（）、（）、（）。


    正确答案:高血压；高胆固醇血症；糖尿病；肥胖症；吸烟；缺乏运动；高脂；高胆固醇饮食；过量饮酒

  • 第5题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 相反

  • 第6题：

    填空题
    干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

    正确答案： 残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

    正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

    正确答案： （1）对材料具有高的选择比
    （2）不会对器件带来等离子体损伤
    （3）设备简单
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    干法刻蚀有高的还是低的选择比？

    正确答案： 干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？

    正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
    2.获得可接受的产能的刻蚀速率
    3.好的侧壁剖面控制
    4.好的片内均匀性
    5.低的器件损伤
    6.宽的工艺制造窗口
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    常见的块状整地的方法包括（）、（）、（）、（）。


    正确答案:穴状；块状；鱼鳞坑；坑状

  • 第14题：

    常见的拒绝服务攻击方法包括（）、（）、（）、（）、（）、（）等。


    正确答案:广播风暴；SYN淹没；IP分段攻击；OoB攻击；分布式攻击；IIS上传攻击

  • 第15题：

    在职培训最常见的方法包括（）和（）。


    正确答案:职务轮换；预备实习

  • 第16题：

    问答题
    干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？

    正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
    1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
    2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
    3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。

    正确答案： 金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？

    正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
    分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    常见的块状整地的方法包括（）、（）、（）、（）。

    正确答案： 穴状,块状,鱼鳞坑,坑状
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

    正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述干法刻蚀的应用

    正确答案： 介质——氧化物和氮化硅
    硅——多晶硅栅和单晶硅槽
    金属——铝和钨
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？

    正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。

    正确答案： 细
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

    正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
    2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
    ○1保真度好，图形分辨率高；
    ○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
    ○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
    缺点：
    ○1设备复杂
    ○2选择比不如湿法
    解析： 暂无解析

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