itgle.com
在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
题目
在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
相似考题
参考答案和解析
改变半导体的导电类型
更多“在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。”相关问题
-
第1题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
- A、刻蚀速率
- B、选择性
- C、各向同性
- D、各向异性
正确答案:B -
第2题：
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术 -
第3题：
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第4题：
填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。正确答案： 把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。
干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。解析： 暂无解析 -
第6题：
填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。正确答案： 化学作用,物理作用,化学作用与物理作用混合解析： 暂无解析 -
第7题：
判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点正确答案： （1）对材料具有高的选择比
（2）不会对器件带来等离子体损伤
（3）设备简单解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题什么是干法刻蚀？正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？正确答案： 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差；
物理性干法刻蚀方向性好、可获得接近垂直的刻蚀侧墙，但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低，另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低；化学性干法刻蚀选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？正确答案： 干法刻蚀和湿法刻蚀解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
- A、刻蚀
- B、氧化
- C、淀积
- D、光刻
正确答案:D -
第14题：
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀
Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀
Cc.溅射加工、直写加工
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第15题：
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对
B错
正确答案： 错解析： 相反 -
第16题：
问答题简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。正确答案： 优点：①刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻胶脱落或粘附问题；
④好的片内、片间、批间的刻蚀均匀性；
⑤化学品使用费用低。
缺点：①对下层材料的刻蚀选择比较差；
②等离子体诱导损伤；
③设备昂贵。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。解析： 暂无解析 -
第18题：
填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。正确答案： 被刻蚀图形的侧壁形状,各向同性,各向异性解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？正确答案： 优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
2.获得可接受的产能的刻蚀速率
3.好的侧壁剖面控制
4.好的片内均匀性
5.低的器件损伤
6.宽的工艺制造窗口解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
○1保真度好，图形分辨率高；
○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
缺点：
○1设备复杂
○2选择比不如湿法解析： 暂无解析