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4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。A．干氧氧化B．湿氧氧化C．离子氧化D．水蒸汽氧化

题目

4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。

A．干氧氧化

B．湿氧氧化

C．离子氧化

D．水蒸汽氧化

相似考题

1.下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路

2.在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。

3.按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用

4.集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

更多“4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。”相关问题

  • 第1题：

    按制造工艺集成电路分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、TTL集成电路
    • C、厚膜集成电路
    • D、薄膜集成电路
    • E、CMOS集成电路

    正确答案:A,C,D

  • 第2题：

    集成电路按照制造工艺可分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、薄膜集成电路
    • C、数字集成电路
    • D、厚膜集成电路

    正确答案:A,B,D

  • 第3题：

    集成电路中元器件的特点是（）。

    • A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
    • B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
    • C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
    • D、集成电路中的三极管是低频小功率管
    • E、集成电路中的二极管是高性能管

    正确答案:A,B,C

  • 第4题：

    填空题
    列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

    正确答案： 掺杂阻挡,表面钝化,金属层间介质
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    问答题
    集成电路主要有哪些基本制造工艺？

    正确答案： 集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    填空题
    常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

    正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

    正确答案： ①外延：外延生长时控制气相反应中的杂质可以方便地形成不同导电类型、不同杂质浓度且杂质分布陡峭的外延层，满足某些特殊器件对材料结构和杂质分布的特殊要求。可以提高集电结击穿电压，而且比较好地解决了双极集成电路中的隔离问题。
    ②埋层：减小集电区串联电阻，改善其频率特性。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。

    正确答案： 测试
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    热氧化工艺有哪些？

    正确答案： 有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

    正确答案： 集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    集成电路正确的分类方法是（）。

    • A、按用途
    • B、按功能
    • C、按导电类型
    • D、按制造工艺
    • E、按集成度

    正确答案:B,C,D,E

  • 第14题：

    集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。


    正确答案:切片；圆片

  • 第15题：

    集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。


    正确答案:晶体管；电阻；电容；0.13

  • 第16题：

    判断题
    在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    填空题
    常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

    正确答案： 光刻,氧化,扩散,刻蚀,离子注入（外延、CVD、PVD）
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    填空题
    集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。

    正确答案： 晶体管,电阻,电容,0.13
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
    A

    集成电路制造（晶圆加工）

    B

    集成电路封装

    C

    集成电路测试

    D

    集成电路设计


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

    正确答案： 如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

    正确答案： 离子注入
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

    正确答案： 热扩散,离子注入
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？

    正确答案： 1、原生氧化层
    2、屏蔽氧化层
    3、遮蔽氧化层
    4、场区和局部氧化层
    5、衬垫氧化层
    6、牺牲氧化层
    7、栅极氧化层
    8、阻挡氧化层
    解析： 暂无解析

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