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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
题目
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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第1题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。 -
第2题：
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
- A、ARC
- B、HMDS
- C、正胶
- D、负胶
正确答案:C -
第3题：
问答题什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？正确答案： 由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。
正性光刻胶。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？正确答案： 显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第6题：
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高解析： 暂无解析 -
第7题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？正确答案： 负光刻胶解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第11题：
名词解释题正光刻胶正确答案： 曝光区域变软并最后被溶解。负胶则相反。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题解释负性和正性光刻的区别正确答案： 负性光刻把掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上。主要区别是所用光刻胶的种类不同解析： 暂无解析 -
第13题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E -
第14题：
名词解释题光刻胶正确答案： 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题负性和正性光刻胶有什么区别和特点？正确答案： 特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。
区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？正确答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。正确答案： 原理：临时性地涂覆在硅片表面，通过曝光转移设计图形到光刻胶上。
负胶特性：
1曝光后不可溶解
2显影时未曝光的被溶解
3便宜
正胶特性：
1曝光后可溶解
2显影时曝光的被溶解
3高分辨率解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。正确答案： 感光剂、基体材料和溶剂,重氮醌,长链分子断裂,去除,交联,保留解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。正确答案： 正性光刻,负性光刻胶,正性光刻胶解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题什么是负光刻胶？正确答案： 负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。解析： 暂无解析