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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
题目
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
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第1题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E -
第2题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
- A、化学增强
- B、化学减弱
- C、厚度增加
- D、厚度减少
正确答案:A -
第3题：
问答题负性和正性光刻胶有什么区别和特点？正确答案： 特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。
区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。解析： 暂无解析 -
第5题：
判断题曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。正确答案： 光刻区，刻蚀区和离子注入区解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是负光刻胶？正确答案： 负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？正确答案： 一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二，在后续工艺中，保护下面的材料解析： 暂无解析 -
第13题：
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
- A、ARC
- B、HMDS
- C、正胶
- D、负胶
正确答案:C -
第14题：
名词解释题光刻胶正确答案： 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。正确答案： 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题简述光刻胶的成分特征。正确答案： 光学光刻胶通常包含有三种成份：
①聚合物材料（也称为树脂）：聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定了光刻胶薄膜的其它一些持性（如光刻胶的膜厚、弹性和热稳定性）。
②感光材料：感光材料一般为复合物（简称PAC或感光剂）。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。
③溶剂（如丙二醇一甲基乙醚，简称PGME）：溶剂的作用是可以控制光刻胶机械性能（例如基体黏滞性），并使其在被涂到硅片表面之前保持为液态。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样？正确答案： 如果光刻胶的吸收过多，光刻胶底部接收的光强度就会比顶部的少很多，会导致图形侧墙倾斜。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题简述光刻胶的概念及目的正确答案： 概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化
目的：
（1）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
（2）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？正确答案： 深紫外光刻胶的曝光宽容度是剂量变化范围在1%左右。解析： 暂无解析 -
第21题：
判断题光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第22题：
名词解释题正光刻胶正确答案： 曝光区域变软并最后被溶解。负胶则相反。解析： 暂无解析 -
第23题：
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆
B曝光
C显影
D腐蚀
正确答案： C,B解析： 暂无解析